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NTD3055L104-1G

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NTD3055L104-1G的技术参数

产品型号:NTD3055L104-1G
源漏极间雪崩电压VBR(V):60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):104
最大漏极电流Id(on)(A):12
通道极性:N
封装/温度(℃):DPAK-3/-55~175
描述:60V,12A,N沟道MOSFET
价格/1片(套):暂无

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