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NTJD4001NT1G的技术参数

产品型号:NTJD4001NT1G
源漏极间雪崩电压VBR(V):30
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):1500
最大漏极电流Id(on)(A):0.250
通道极性:N
封装/温度(℃):SC88-6/-55~150
描述:30V,0.25A,N沟道双MOSFET
价格/1片(套):￥.60

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