CMOS-IC电路
出处:杨真人 发布于:2007-04-29 10:36:57
screen.width-333)this.width=screen.width-333" border=0>
金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管,有P型MOS管和N型MOS管之分。由 MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路,而由PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为 CMOS-IC( Complementary MOS Integrated Circuit)。
screen.width-333)this.width=screen.width-333" border=0>
CMOS集成电路的性能特点
微功耗—CMOS电路的单门静态功耗在毫微瓦(nw)数量级。
高噪声容限—CMOS电路的噪声容限一般在40%电源电压以上。 宽工作电压范围—CMOS 电路的电源电压一般为1.5~18伏。 高逻辑摆幅—CMOS 电路输出高、低电平的幅度达到全电"1"为VDD,逻辑“0”为VSS。
高输入阻抗--CMOS电路的输入阻抗大于108Ω一般可达1010Ω。 高扇出能力--CMOS电路的扇出能力大于50。 低输入电容--CMOS电路的输入电容一般不大于5PF。
宽工作温度范围—陶瓷封装的CMOS电路工作温度范围为
- 55 0C ~ 125 0C;塑封的CMOS电路为 – 40 0C ~ 85 0C。
所有的输入均有删保护电路,良好的抗辐照特性等。
你知道为什么CMOS电路的直流功耗几近于零吗? JEDEC工业标准 JEDEC标准是电子工业协会(EIA)联合电子器件工程委员会(JEDEC)主持下制定的CMOS集成电路的额定范围和静态参数的工业标准。下表即为JEDEC 制定的CMOS集成电路的额定范围:
电源电压
VDD~VSS
18 ~ -0.5
V(DC)
直流输入电流
IIN
士10
mA(DC)
输入电压
VI
VSS ≤VI ≤ VDD+0.5
V(DC)
器件功耗
PD
200
mw
工作温度范围
T
-55~125(陶封),-40~85(塑封)
0C
存储温度范围
TSTG
-65 ~ 150
0C
输入输出信号规则
所有的CMOS电路的输入端不能浮置,使用一个上拉或下拉电阻,以保护器件不受损害。
在某些应用场合,输入端要串入电阻,以限制流过保护二极管的电流不大于10mA。
输入脉冲信号的上升和下降时间必须小于15us, 否则必须经施密特电路整形后方可输入CMOS开关电路。
避免CMOS电路直接驱动双极型晶体管,否则可能导致CMOS电路的功耗超过规范值。
CMOS缓冲器或大电流驱动器由于其本身的低输出阻抗,必须注意这些电路采用大负载电容(≥500PF)时等效于输出短路的情况。
CMOS电路的输出不能并接成线逻辑状态。因为导通的PMOS管和导通的NMOS管的低输出阻抗会将电源短路。
主要封装形式
上一篇:有简单人工智能的温度控制电路
下一篇:数模、模数转换电路
版权与免责声明
凡本网注明“出处:维库电子市场网”的所有作品,版权均属于维库电子市场网,转载请必须注明维库电子市场网,https://www.dzsc.com,违反者本网将追究相关法律责任。
本网转载并注明自其它出处的作品,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时,必须保留本网注明的作品出处,并自负版权等法律责任。
如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起一周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。
- BiCMOS 运算放大器的知识2024/4/16 17:41:17
- 模数转换 – 性能标准2024/4/8 16:37:02
- 解析 PWM (DAC) 性能:第 4 部分 – 非均匀占空比组2024/3/28 17:23:37
- 了解运算放大器的输出信号摆幅2024/3/18 16:29:20
- 模拟和数字传感器和转换器2024/3/7 16:39:16