半导体材料的电子和空穴质量
出处:brise 发布于:2007-04-29 04:07:22
Material | Electron Mass | Hole Mass |
---|---|---|
ALAs | 0.1 | |
ALSb | 0.12 | mdos=0.98 |
GaN | 0.19 | mdos=0.60 |
GaAs | 0.067 | m1h=0.082,mhh=0.45 |
GaP | 0.82 | mdos=0.60 |
GaSb | 0.042 | mdos=0.40 |
Ge | ml=1.64,mt=0.082 | m1h=0.044,mhh=0.28 |
InP | 0.073 | mdos=0.64 |
InAs | 0.027 | mdos=0.4 |
InSb | 0.13 | mdos=0.4 |
Si | ml=0.98,mt=0.19 | m1h=0.16,mhh=0.49 |
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