联电65nm芯片工艺采用SOI技术
出处:小罗纳耳朵 发布于:2007-09-21 16:48:22
绝缘体上硅(SOI)是指在一绝缘衬底上再形成一层单晶硅薄膜,或者是单晶硅薄膜被一绝缘层(通常是SiO2)从支撑的硅衬底中分开这样结构的材料、这种材料结构可实现制造器件的薄膜材料完全与衬底材料的隔离。SOI技术可以改善芯片性能,降低漏电,以及减少芯片功耗。随着微处理器(CPU)、图形芯片(GPU)制程对绝缘层上覆硅技术(SOI)需求愈来愈强,SOI已成各大芯片代工角逐客户青睐的武器。
联电表示,借助SOI技术,旗下65nm工艺晶圆更加紧凑,芯片切割率可以比无SOI技术的65nm晶圆提升25%,同时联电65nmSOI技术的芯片功耗可以降低30%,联电65nmSOI技术的芯片工作频率可以提升28%,联电65nmSOI技术的芯片的生产成本可以降低10%。
联电目前也是除TMSC台积电之外,第2大芯片代工厂商。
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