本设计方案描述了上一个方案的改进（参考文献1）。如图1中电路使用普通的SPST按键开关S1代替原设计所需的SPDT开关。使用隔膜开关极大的简化了设备的工业化设计，并提高了工效。此外，电路通过未激励开关消除电流的方法，从而略微减少了现有模式中的电流消耗。

　　备用模式中，MOSFET Q1仍然关闭，消耗电池少于1 µA的漏电流。按下开关S1，通过二极管D1将门极拉到地，使Q1打开。电压稳压器IC1开启，为微处理器IC2供能。微处理器启动，并将P1.1输出端口置高。打开晶体管Q2，锁存系统能量到允许S1断开。与此同时，电阻R3上拉微处理器输入端口P1.2到Vcc。按下开关几秒钟，通过二极管D2使P1.2输入下拉，发按键触发事件的信号到固件。完成程序以后，微处理器将输出端口P1.1置低来关闭Q2。从而，直到使用者按下S1重启程序时为止，Q1使系统掉电。

　　选择器件的时候，确保Q1的栅-源极击穿电压超过可能输入的电压；否则，使用齐纳击穿二极管来限制为Q1供电的栅-源极电压。如果电压稳压器IC1包括一个开/关控制引脚，就可以忽略Q1。为了用不同开关电源设备代替Q1
，例如NPN双极晶体管或继电器，指定Q2供给开关设备所需的控制电流。为进一步减少电路器件的数量，用适当的共阴极双二极管阵列替代二极管D1和D2，例如BAV70。如果IC2包括内置的上拉电阻，就可以忽略电阻R3，许多现代微处理器都是这样的。

参考文献:

[1]. BAV70 datasheet https://www.dzsc.com/datasheet/BAV70_160956.html.