元器件电压规格

　　600V
　　1200V
　　1400V

　　电源

　　电压
　　200V；220V；230V；240V
　　346V；350V；380V；400V；415V；440V
　　575V

　　2. 防止静电

　　IGBT的VGE的耐压值为±20V，在IGBT模块上加出了超出耐压值的电压的场合，由于会导致损坏的危险，因而在栅极-发射极之间不能超出耐压值的电压，这点请注意。

　　在使用装置的场合，如果栅极回路不合适或者栅极回路完全不能工作时（珊极处于开路状态），若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏，为防止这类损坏情况发生，应在栅极一发射极之间接一只10kW左左的电阻为宜。

　　此外，由于IGBT模块为MOS结构，对于静电就要十分注意。因此，请注意下面几点：

　　1) 在使用模块时，手持分装件时，请勿触摸驱动端子部份。

　　2) 在用导电材料连接驱动端子的模块时，在配线未布好之前，请先不要接上模块。

　　3) 尽量在底板良好接地的情况下操作。

　　4) 当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电放电后，再触摸。

　　5) 在焊接作业时，焊机与焊槽之间的漏泄容易引起静电压的产生，为了防止静电的产生，请先将焊机处于良好的接地状态下。

　　6) 装部件的容器，请选用不带静电的容器。

　　3.并联问题
　
　　用于大容量逆变器等控制大电流场合使用IGBT模块时，可以使用多个器件并联。

　　并联时，要使每个器件流过均等的电流是非常重要的，如果一旦电流平衡达到破坏，那么电过于集中的那个器件将可能被损坏。为使并联时电流能平衡，适当改变器件的特性及接线方法。例如。挑选器件的VCE(sat)相同的并联是很重要的。

　　4.其他注意事项

　　1) 保存半导体原件的场所的温度，温度，应保持在常温常湿，不应偏离太大。常温的规定为5－35℃，常湿的规定为45—75％左右。

　　2) 开、关时的浪涌电压等的测定，请在端子处测定。