NOR闪速存储器信号的种类
出处:hustxsh 发布于:2008-11-18 11:33:48
Am29F010引脚的分组如图所示。Am29F040只是地址总线增加到18根,没有NC引脚,其他方面与Am29F010完全相同。闪速存储器的操作与地址、数据、CE、OE、WE的组合如表所示。
图 Am29F01O的引脚分组
表 Am29F010A的操作模式
1. VCC/Vss
这是电源引脚。因为Am29F010和Am29F040都是+5V单一电源工作的FlashROM,因此,给Vcc加上+5V电压,Vss作为标准电位为0V。
2. A0~A16(地址)
A0~A16是地址引脚。虽然Am29F010是容量为1M位的闪速存储器,但由于是以DQ0~DQ7的8位为单位进行数据输入输出,因此地址就是1M位÷8位=128K,具有17根地址线。
3. DQ0~DQ7(数据)
这是与外部进行数据传输的引脚。因为Am29F010通常是以8位为单位进行输人输出的,所以数据通常是以8位为单位进行读取与写人的。
4. CE(芯片使能)
这是器件的选择信号。只有该引脚为低电平时,下面所描述的DE及WE信号才有效。当与CPU等连接时,对CPU的高位地址进行解码,然后输人到该引脚。
当存在多个器件时,通常是CE以外的引脚全部并联,由CE引脚确定访问那个器件。
5. OE(输出使能)
只有在上面所说明的CE引脚为低电平时OE才有效。从Flash ROM读出数据时,如果OE与GE都为低电平,则一定时间后DQ0~DQ7引脚上将出现数据。因为没有表示收集有效数据的信号,所以在外围电路中,根据数据手册中的值,预测数据已被确定的时间,然后读出出现在DQ0~DQ7中的数据。
6. WE(写使能)
该引脚只是在先前说明的CE引脚为低电平时才有效。在赋予闪速存储器指令及写人数据等时,该信号与CE引脚一起同为低电平。
事实上数据是在CE及WE信号的上升沿(由低电平上升为高电平的时候)被提取到芯片内部的。
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