近来，用横向湿法氧化工艺生长的A1.O，半导体结构DBR被用来实现低阈值、高效率的VCSEL。氧化物／半导体DBR的VCSEL结构方案也被提出。这种结构的DBR的特点是折射率差高、高反射率波段范围宽和反射相位变换平滑等。上述特点减小了光场在DBR中的渗透深度，这样也相应地减小了谐振腔的有效腔长，减少了谐振腔所产生的光模式，提高了激射效率。

　　采用A1.Oy／GaAs的DBR有一个技术难点，就是在异质界面处Ga和0的键合力太小。

　　受热或受压都有可能引起DBR的断层。为了解决这一问题，人们在异质界面间插入一个渐变或者均匀的AlGaAs层，用来提高键合强度。这样，该DBR结构除了原有的两个层之外，还增加了两个AlGaAs缓冲层，因此人们通常将氧化层的厚度设计的略薄于1／4波长。这样就构成了一个缓变且非对称的DBR。它的温度特性与全苄导体DBR具有可比性，这表明A1xOy对有源区散热并没有太多影响。