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PN结的构成
把一块半导体硅片或锗片，通过一定的工艺方法，一边做成P型半导体，另一边做成N型半导体，在两者交界处就会形成一个薄层，这个薄层就是PN结，如图一(a)所示"这个PN结有一个很特别的性能，就是有单方向导电的能力。
图一 PN结单向导电原理
如果将P型半导体部分连接至电源的正电极，N型半导体部分连接电源的负电极，这种连接称为正向连接，在电子技术中叫做正向偏置。茬正向偏置的条件下，N区电压较P区为负，它将吸引P区的多数载流子(空穴)，使之穿过PN结流向N区;P区电压较N区电压为正，也将吸引N区的多数载流子(电子)，使之穿过PN区流向P区;同时P区少数载流子(电子)和N区少数载流子(空穴)受到排斥，不能穿过PN结。两个区中的多数载流子向对方区的运动就形成了正向电流/，如图一(b)所示。由于电流是由多数载流子形成的，所以PN结表现出来的正向电阻很小。
若把半导体的P区和N区分别连接电源的负极和正极，这时的连接称为反向连接，又称为反向偏置。在反向偏置的条件下，仅有少数载流子穿过PN结形成反向电流，如图一(c)所示。由于少数载流子的数量很少，所能形成的电流很微弱，此时PN结表现出来的反向电阻将很大。
综上所述，PN结的导电性能在正向、反向偏置下是不一样的，具有单向导电的性能。半导体二极管的基本工作原理就是以PN结的单向导电性为基础的。
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