光敏三极管的部分主要技术特性

出处：chunyang 发布于：2008-04-24 15:01:33

　　1·暗电流ID
　　在无光照的情况下，集电极与发射极间的电压为规定值时，流过集电极的反向漏电流称为光敏三极管的暗电流。
　　2·光电流IL
　　在规定光照下，当施加规定的工作电压时，流过光敏三极管的电流称为光电流，光电流越大，说明光敏三极管的灵敏度越高。
　　3·集电极一发射极击穿电压VcE
在无光照下，集电极电流Ic为规定值时，集电极与发射极之间的电压降称为集电极一--发射极击穿电压。
　　4·工作电压RM
　　在无光照下，集电极电流Ic为规定的允许值时，集电极与发射极之司的电压降称为工作电压。
　　5·功率PM
　功率指光敏三极管在规定条件下能承受的功率。
　　6·峰值波长λP
　　当光敏三极管的光谱响应为时对应的波长叫做峰值波长。
　　7·光电灵敏度
　　在给定波长的人射光输入单位为光功率时，光敏三极管管芯单位面积输出光电流的强度称为光电灵敏度。
　　8·响应时间
　　响应时间指光敏三极管对入射光信号的反应速度，一般为

。
　　9·开关时间
　　①脉冲上升时间tζ:光敏三极管在规定工作条件下调节输入的脉冲光，使光敏三极管输出相应的脉冲电流至规定值，以输出脉冲前沿幅度的10%-90%所需的时间。
　　②脉冲下降时间tt:以输出脉冲后沿幅度的90%-10%所需的时间。
　　③脉冲延迟时间td:从输入光脉冲开始到输出电脉冲前沿的10%所需的时间。
　　④脉冲储存时间ts:当输入光脉冲结束后，输出电脉冲下降到脉冲幅度的90%所需的时间。

关键词：三极管

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