安森美半导体推出4款新的30伏肖特基势垒二极管

出处:dongjia 发布于:2009-08-20 10:39:34

  的高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体推出4款新的30伏(V)肖特基势垒二极管。这些新的肖特基势垒二极管采用超小型0201双硅片无引脚(DSN2)芯片级封装,为便携电子设计人员提供业界的肖特基二极管和同类的空间性能。

  这些新的肖特基二极管提供低正向电压或低反向电流,额定正向电流为100毫安(mA)或200 mA,其中后者是业界巧的额定200 mA器件。这些新的器件为越来越多空间受限的应用解决问题,例如手机、MP3播放器和数码相机等。

  安森美半导体小信号产品分部总监兼总经理何焘(Dan Huettl)说:“我们客户持续面对设计挑战,要在空间受限的应用中取舍优化电路板布线与系统性能的问题。安森美半导体遂推出超小型0201 DSN-2肖特基势垒二极管,回应系统设计人员的诉求,优化便携应用的电源管理。”

  器件

  这些肖特基二极管封装底部含有可焊接金属触点,令工作的硅片百分之百地利用封装面积。新的0201 DSN-2封装尺寸仅为0.6 mm x 0.3 mm x 0.3 mm,与常见的1.0 mm x 0.6 mm x 0.4 mm的SOD-923(也称作0402)封装相比,节省3倍的电路板空间。这些新器件的泄漏电流为市场上,帮助设计人员解决功率损耗、效率及开关速度问题。与采用传统塑模封装的竞争组件相比,新的肖特基二极管的板面积性能显着提升,傲视同侪。它们的电源管理特性,也同类产品,有助延长便携设备应用中的电池使用时间。

  NSR0xF30NXT5G器件系列优化了正向电压降(Vf),在10 mA正向电流时仅为370毫伏(mV),进一步突显这系列的先进、高性能规格。NSR0xL30NXT5G器件系列设计用于低反向电流(Ir),

  在10 V反向电压时仅为0.2微安(?A),且泄漏电流极低,延长电池使用时间。这两个系列的器件提供人体模型(HBM) 3B类和机器模型(MM) C类的ESD额定能力及低热阻抗,为设计工程师解决在小电路板空间中纳入越来越多电路的挑战。这些肖特基二极管符合RoHS指令,工作温度范围为–40°C至+125°C,非常适用于苛刻室内及室外环境中的设备。


  
关键词:半导体二极管

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