Avago Technologies（安华高科技）近日相继推出用于基站(BTS)射频前端设计的超低噪声放大器MGA-634P8，以及一款GaAs MMIC 低噪声放大器新品MGA-633P8。据介绍，MGA-634P8工作频段从1500兆赫到2300兆赫，拓展了其LNA系列，涵盖新的GSM、TDS-CDMA和CDMA蜂窝基础设施应用。

　　无线通信基础设施产业必须提供的覆盖范围，才能在拥挤的频谱内提供信号质量。接收器灵敏度是BTS接收器设计中关键的要求。LNA选择，特别是阶段使用的LNA，对BTS接收器的性能有很大的影响，低噪声系数是一个关键的设计目标。MGA-634P8具有同类产品中的噪声系数(NF)，在1900兆赫为0.44分贝，为0.69分贝。

　　另一个关键的设计因素是线性，它会影响接收器区分排列紧密的有用信号和杂散信号的能力。使用输出三阶截断点OIP3来指示线性度。在1900兆赫，以5伏48毫安的偏置电流工作，Avago特有的GaAs增强模式pHEMT工艺技术可以提供0.48分贝的噪声系数和36毫瓦分贝的OIP3。 相比以前的放大器，Avago的低NF和高OIP3的MGA-634P8能够为设计人员提供更多的余地去设计BTS接收器的路径，通过以非常低的静态功耗（约240毫瓦）来实现性能提升。

　　超低噪声放大器(LNA) MGA-634P8的关键功能：
　　工作频段：1500MHz～2300MHz
　　超低噪声指数: 0.44dB @1900MHz
　　高线性: 36dBm OIP3@1900MHz
       增益: 17.4dB@1900MHz
　　1dB增益压缩点输出功率: 21dBm@1900MHz
　　5V单电源供电典型48mA低功耗: 240mW
　　器件采用MGA-63xP8系列通用封装尺寸和外围匹配电路,简化了印刷电路板设计和生产
    采用特有工艺：0.25μm GaAs增强模式pHEMT
　　提供卷带式封装选择
　　操作温度范围为 -25℃至+85℃。
　　采用 Pb-Free 环保无铅设计并符合 RoHS 标准要求

　　可调整性和通用引出线实现设计优化和灵活性

　　通过采用内置有源偏置电路，MGA-634P8的工作电流是可调的。这允许设计人员在工作电流和输出线性之间进行权衡取舍，同时保持噪声系数。BTS设计人员可以通过同一款Avago LNA来应对各种设计需求和区域要求。

　　现在，随着发送/接收卡必须安装越来越多的信道，PCB基板已成为BTS工程师面临的一个关键设计挑战。MGA-634P8包装在方形扁平无引线的(QFN)塑料封装中，大小仅为4平方毫米，厚度为0.75毫米。

　　此外，新一代MGA-634P8 LNA与现有的900兆赫MGA-633P8 LNA具有相同的封装尺寸、引脚和外部匹配网络。因此，常见的PCB设计可以用于以不同频带工作的BTS射频前端设计，从而实现一个基本的PCB设计便可满足不同区域市场的需求。