1 高功率白LED 及其制造方法

　　公开(公告)号:US101611500

　　摘要:一种发光装置，其具有用于发射短波长的光的光源。下变频材料接收并下变频至少一些由所述光源发射的短波长的光，并向后散射所接收并下变频的光的一部分。与所述下变频材料相邻的光学器件至少部分包围所述光源。所述光学器件用于提取至少一些所述后向散射的光。密封物基本密封所述光源和所述光学器件之间的间隙。

　　2 使用GaN LED 芯片的发光器件

　　公开(公告)号:JP10160*6

　　摘要:一种发光器件通过倒装芯片安装下列( a) 的GaN 基LED 芯片100 来构成:( a) GaN 基LED 芯片100，包括透光衬底101 以及在透光衬底101 上形成的GaN 基半导体层L，其中，GaN 基半导体层L 具有从透光衬底101 侧开始依次包含n 型层102、发光层103 和p 型层104 的层叠结构，其中正电极E101 在p型层104 上形成，所述电极E101 包含氧化物半导体的透光电极E101a 以及与透光电极电连接的正接触电极E101b，以及正接触电极E101b 的面积< p 型层104 的上表面的面积的1 /2。

　　3 通过应力调节LED 发光波长的方法及相应的白光LED

　　公开(公告)号:CN101582473

　　摘要:本发明提供了一种调节LED 发光波长的方法，是在缓冲层上先生长n 型欧姆接触层，再沉积一层SiO2薄膜作为掩膜，在掩膜上开出具有一定几何形状和尺寸的生长窗口，然后在生长窗口处继续生长第二n 型欧姆接触层、有源层和p 型欧姆接触层。不同形状和尺寸的生长窗口对二次外延器件内部应力的调节可以使同一种生长工艺条件下制备的器件发出不同波段的辐射光。采用这一特殊方法可制备白光LED，即在掩膜的不同区域根据预先设计开设不同形状、尺寸和数量的生长窗口，可从一个器件发出不同波段的辐射光，它们混合后得到白光。该LED器件只需单一芯片即可发出白色光，而且制备简便，电路简单，无需荧光粉，寿命长，具有较高的电光转化效率。

　　4 低发热型多波长LED 发光二极管

　　公开(公告)号:GB101598265

　　摘要:一种低发热型多波长LED 发光二极管，包含有一多波长LED 晶粒装置及其外周相隔设置一封装头罩;多波长LED 晶粒装置具有多种波长及光色，且至少其中之一为发热光波;封装头罩设为球型透光罩体，具有一内球面及一相对外球面，其对应多波长LED 晶粒装置的光源中心设有投光区域，及其外球面于投光区域外侧设有连续环状的折射切面，以对应发热光波由内往外折射，能够迅速释放热能，相对提高LED 发光二极管照明效能及使用寿命，具备更优异散热效率。

　　5 多波长LED 晶粒构造及其制造方法

　　公开(公告)号:GB101599443

　　摘要:一种多波长LED 晶粒构造及其制造方法，依据多波长LED 晶粒所需的光色选取多片不同波长及光色的单波长LED 磊晶片，且设定各片单波长LED 磊晶片的厚度比值;将上述各片单波长LED 磊晶片平面相叠接合一体，以形成多波长LED 磊晶片;将上述多波长LED 磊晶片切割成多波长LED 磊晶条;沿上述多波长LED 磊晶条的一侧切割面设制一金属反射层;将上述多波长LED 磊晶条及其金属反射层共同切割制出上述多波长LED 晶粒，以发出混光合成特定光色。

　　6 LED 发光二极管晶粒装置

　　公开(公告)号:GB101599481

　　摘要:一种LED 发光二极管晶粒装置，适用于制作高亮度LED 发光二极管，晶粒装置包含有2 个相对间隔设置的LED 晶粒，2 个LED 晶粒彼此相对侧各至少相对设有一放电发光面，且放电发光面与其LED晶粒至少形成一倾斜角度;而2 个LED 晶粒的相对放电发光面彼此间形成一斜向的放电间隙，且其彼此间尽量缩减夹角或设为平行间隔，以提高电子导通与击穿特性，并且增加放电发光面积及放电光弧，能够有效提高发光亮度，节省能源。

　　7 具有透镜的LED 器件及其制造方法

　　公开(公告)号:US101611502

　　摘要:本文公开了具有透镜的LED 器件和制造所述器件的方法。所述LED 器件使用包括多个透镜部件的光学层制成。相对于所述LED 管芯设置所述光学层，使得至少一个LED 管芯光学耦合到至少一个透镜部件。然后可通过所述透镜部件制造透镜并且移除多余的光学层从而得到所述器件。

　　8 LED 芯片及其制备方法

　　公开(公告)号:CN101471406

　　摘要:本发明公开一种LED 芯片及其制备方法，ICP刻蚀后的芯片周围一圈侧面向内倾斜，呈倒台形。

　　LED 芯片的制备方法包括以下步骤:在蓝宝石衬底上生长GaN 基LED 结构外延片;GaN 外延片在N2气氛高温退火;用溶剂将GaN 外延片表面清洗干净;在GaN 外延片上光刻出图形;在光刻后的GaN 外延片上蒸镀Cr /Ni 掩膜层;用溶剂将光刻胶去除干净;接着用ICP 将外延片刻蚀到n-GaN 层，并使刻蚀后的芯片侧面向内倾斜呈内倒台形，其中ICP 刻蚀条件为ICP 功率为1 500 ～ 2 000W，RF 功率为20 ～ 40W，腔体压力为40 ～ 80mTorr，刻蚀气体流量比Cl2 ∶ Cl3 =3 ～ 6∶ 1。

　　9 衬托器和使用该衬托器形成LED 器件的方法

　　公开(公告)号:US101563771

　　摘要:本发明提供了一种用来固定用于LED 生产的单晶晶片的衬托器，其包括衬托器主体，该主体包括用来承载单晶晶片的凹陷，所述凹陷具有表面糙度(R191)≤约10μm 的表面。所述衬托器主体包括硅浸渍的碳化硅，和覆盖着该衬托器主体的氮化物层。

　　10 一种基于无缝隙平面键合的薄膜LED 芯片器件制造方法

　　公开(公告)号:CN1014*02

　　摘要:本发明所公开的一种基于无缝隙平面键合的薄膜LED 芯片器件制造方法，利用未经隔离化处理的外延片平坦表面进行性或暂时性基板的制备，再利用激光束对上述外延层与基板的界面处进行器件单元隔离化处理，从而保证了基板与外延层的结合良率，既确保了激光剥离外延薄膜层的留膜良率，又简化了传统制造工艺。

　　11 LED 阵列封装的晶圆级封装方法及其制造的LED 封装器件

　　公开(公告)号:HK101436557

　　摘要:公开了一种用于LED 阵列封装的晶圆级封装方法。在该方法中，LED 芯片阵列首先被安装在硅晶圆上，该晶圆上预制有凹槽结构，其可用作接下来封装过程中的环氧树脂流体的阻挡装置。环氧树脂密封剂接着被滴到衬底上，并被固化以完成该封装过程。将晶圆进行切割后可直接得到可用的LED 器件。该方法无需模具，和传统工艺相比，可降低成本和实现高密度封装。

　　12 白光LED 的封装方法及使用该方法制作的LED 器件

　　公开(公告)号:CN101577301

　　摘要:一种白光LED 的封装方法，包括以下步骤:准备组件，在基板上预留注胶孔和排气孔;将LED 芯片安装于基板上;在封装外壳内壁涂覆荧光粉;利用承载框连接涂覆有荧光粉的封装外壳与基板，使封装外壳与基板之间形成空腔;将胶体通过注胶孔注入封装外壳与基板所形成的空腔内，空腔内的气体通过排气孔排出;将注胶完的LED 器件进行固化。本发明的封装方法，通过在封装外壳内壁涂覆荧光粉，使封装外壳作为荧光粉的承载体，同时，通过在封装外壳以及基板之间注胶的方式，实现封装，生产工艺简单，适合大批量生产，特别适合于多芯片、大面积、以蓝光LED 芯片激发荧光粉混合产生白光的封装。另外，本发明还提供一种使用该方法制作的LED 器件。