九大常用的电容器

出处：尤新亮发布于：2012-09-25 18:00:51

一、瓷介电容器

　　瓷介电容器（https://www.dzsc.com/product/searchfile/1271.html）又称陶瓷电容器，它以陶瓷为介质，涂敷金属薄膜（一般为银）经高温烧结而形成电极，再在电极上焊上引出线，外表涂以保护磁漆，或用环氧树脂及酚醛树脂包封，即成为瓷介电容器。

穿心式或支柱式结构瓷介电容器，它的一个电极就是安装螺丝。引线电感极小，频率特性好，介电损耗小，有温度补偿作用不能做成大的容量，受振动会引起容量变化特别适于高频旁路。

1、高频瓷介电容（CC）

电容量：1～6800p

额定电压：63～500V

主要特点：高频损耗小，稳定性好

应用：高频电路

2、低频瓷介电容（CT）

电容量：10p～4.7u

额定电压：50V～100V

主要特点：体积小，价廉，损耗大，稳定性差

应用：要求不高的低频电路

二、薄膜电容器

薄膜电容（Film Capacitor）器又称塑料薄膜电容（Plastic Film Capacitor）。其以塑料薄膜为电介质。

薄膜电容结构与纸质电容器相似，但用聚脂、聚苯乙烯等低损耗塑材作介质频率特性好，介电损耗小不能做成大的容量，耐热能力差滤波器、积分、振荡、定时电路。

1、 聚酯（涤纶）电容（CL）

电容量：40p～4u

额定电压：63～630V

主要特点：小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差

应用：对稳定性和损耗要求不高的低频电路

2、聚苯乙烯电容（CB）

电容量：10p～1u

额定电压：100V～30KV

主要特点：稳定，低损耗，体积较大

应用：对稳定性和损耗要求较高的电路

3、聚丙烯电容（CBB）

电容量：1000p～10u

额定电压：63～2000V

主要特点：性能与聚苯相似但体积小，稳定性略差

应用：代替大部分聚苯或云母电容，用于要求较高的电路

三、铝电解电容器

铝电解电容器是由铝圆筒做负极，里面装有液体电解质，插入一片弯曲的铝带做正极而制成的电容器称作铝电解电容器。

用浸有糊状电解质的吸水纸夹在两条铝箔中间卷绕而成，薄的化氧化膜作介质的电容器。因为氧化膜有单向导电性质，所以电解电容器具有极性。容量大，能耐受大的脉动电流，容量误差大，泄漏电流大；普通的不适于在高频和低温下应用,不宜使用在25kHz以上频率低频旁路、信号耦合、电源滤波。

电容量：0.47～10000u

额定电压：6.3～450V

主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大

应用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等

四、钽电解电容器（CA）

固体钽电容器是1956年由美国贝乐试验室首先研制成功的，它的性能优异，是所有电容器中体积小而又烧结型固体电解质片状钽电容器能达到较大电容量的产品。

用烧结的钽块作正极,电解质使用固体二氧化锰温度特性、频率特性和可靠性均优于普通电解电容器，特别是漏电流极小，贮存性良好，寿命长，容量误差小，而且体积小，单位体积下能得到的电容电压乘积对脉动电流的耐受能力差，若损坏易呈短路状态超小型高可靠机件中。

电容量：0.1～1000u

额定电压：6.3～125V

主要特点：损耗、漏电小于铝电解电容

应用：在要求高的电路中代替铝电解电容

五、独石电容器

多层陶瓷电容器)在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以电极桨材料，叠合后绕结成一块不可分割的整体，外面再用树脂包封而成小体积、大容量、高可靠和耐高温的新型电容器，高介电常数的低频独石电容器也具有稳定的性能，体积极小，Q值高容量误差较大噪声旁路、滤波器、积分、振荡电路。

容量范围：0.5PF～1UF

耐压：二倍额定电压。

电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定，耐高温耐湿性好等。

应用范围：广泛应用于电子精密仪器。各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。

六、纸质电容器

一般是用两条铝箔作为电极，中间以厚度为0.008～0.012mm的电容器纸隔开重叠卷绕而成。制造工艺简单，价格便宜，能得到较大的电容量　

一般在低频电路内，通常不能在高于3～4MHz的频率上运用。油浸电容器的耐压比普通纸质电容器高，稳定性也好，适用于高压电路。

七、微调电容器

微调电容实际上是一种可变电容器，只是容量变化范围较小，通常只有几皮法到几十皮法。微调电容分为云母微调电容器、瓷介微调电容器、薄膜微调电容器、拉线微调电容器等多种。它常在各种调谐及振荡电路中作为补偿电容器或校正电容器使用。

电容量可在某一小范围内调整，并可在调整后固定于某个电容值。瓷介微调电容器的Q值高，体积也小，通常可分为圆管式及圆片式两种。云母和聚苯乙烯介质的通常都采用弹簧式东，结构简单，但稳定性较差。线绕瓷介微调电容器是拆铜丝〈外电极〉来变动电容量的，故容量只能变小，不适合在需反复调试的场合使用。

1、空气介质可变电容器

可变电容量：100～1500p

主要特点：损耗小，效率高；可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等

应用：电子仪器，广播电视设备等

2、薄膜介质可变电容器

可变电容量：15～550p

主要特点：体积小，重量轻；损耗比空气介质的大

应用：通讯，广播接收机等

3、薄膜介质微调电容器

可变电容量：1～29p

主要特点：损耗较大，体积小

应用：收录机，电子仪器等电路作电路补偿

4、陶瓷介质微调电容器

可变电容量：0.3～22p

主要特点：损耗较小，体积较小

应用：精密调谐的高频振荡回路

八、陶瓷电容器

用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。高频瓷介电容器适用于高频电路。

九、玻璃釉电容器（CI）