ST发布新款高性能MEMS加速度计“LIS2HH12”
出处:电子工程专辑 发布于:2013-12-20 16:02:04
导读:据报道,意法半导体(以下简称“ST”)近日新推出一款高性能MEMS加速度计“LIS2HH12”.“LIS2HH12”是针对智能手机等移动设备中愈发具有挑战性的应用环境而设计,在助力应对恶劣散热条件下而推出的一款新产品。
近日,意法半导体(以下简称“ST”)新推出一款高性能MEMS加速度计“LIS2HH12”.“LIS2HH12”是针对智能手机等移动设备中愈发具有挑战性的应用环境而设计,在助力应对恶劣散热条件下而推出的一款新产品。
ST作为的半导体供应商、的消费电子与移动应用MEMS器件供应商,其此次推出的新器件“LIS2HH12”也具备了传统产品所没有的无可比拟的优势特性。
“LIS2HH12”引入了创新的机械结构与专用处理器,在超薄移动设备的恶劣散热条件下仍能持续稳定地释放高性能。它提供的±2, ±4或±8g满量程选项和16位数字输出,集成温度传感器、业内标准I2C与SPI接口,支持1.71V到3.6V的宽模拟电源电压,还有两个可简化系统设计的可编程中断发生器。LIS2HH12为设计者满足手机印刷电路板设计规则提供了更多的灵活性,有助于实现更精巧的手机外观设计。
“LIS2HH12”的典型零重力-温度变化率为±0.25mg/C,典型偏置为±30mg,弯曲抑制比比现有解决方案高25%,稳定性是上一代产品的两倍。
“LIS2HH12的创新架构代表了MEMS器件在设计上取得的重大进展,并且能够满足移动产业对先进动作感测应用对于性能和稳定性的更高需求。” ST执行副总裁兼模拟器件、MEMS与传感器部门总经理Benedetto Vigna这样说。
ST的“LIS2HH12”采用2mm x 2mm x 1mm微型封装,新品将于2014年季度开始量产。
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