IDT推出业界首款差异化MEMS振荡器，具有100飞秒（fs）典型相位抖动性能和集成的频率裕量设定能力。IDT高性能振荡器的超低相位抖动和可修改的输出频率显着降低万兆以太网（10GbE）交换器、路由器和其他相关网络设备的误码率（BER）。了解更多关于MEMS振荡器的产品信息及应用请点击此处：https://www.dzsc.com/product/info/5907.html

　　IDT的4H性能MEMS振荡器拥有一个差分的LVDS / LVPECL输出，和相比同级别产品的相位抖动（100 fs @ 1.875 – 20MHZ和亚300 fs @ 12KHZ– 20MHZ），满足高性能网络应用对低抖动芯片组的需要。集成的频率裕量（frequency margining）设定功能使客户在应用操作中能够将振荡器频率微调至±1000 ppm,实现误码率并便于裕量测试。IDT的4H MEMS振动器适用于多种封装尺寸，包括更小的3225（3.2 x 2.5 mm），以节省密集部署应用中的板空间和成本。IDT是提供可将MEMS振荡器性能、特性和小封装尺寸组合在一起的供应商。

　　IDT 公司副总裁兼计时与同步部门总经理 Christian Kermarrec 表示：“IDT的MEMS系列构建于标准的4M和升级的4E振荡器系列基础上，满足万兆以太网和网络应用对高性能的要求。作为计时解决方案的领导厂商，我们为客户提供性能部件和创新特性，以便于他们进行下一代产品开发。我们很高兴看到很多OEM厂商越过MEMS起步型提供商而选择IDT,这正是由于IDT所能提供的经验和技术创新。”

　　HIS公司MEMS与传感器部门总监和分析师Jérémie Bouchaud表示：“云计算和存储架构正在快速发展，几乎50%的服务器和存储簇随着万兆以太网而出货。高性能MEMS振荡器能使企业级计算和存储架构的误码率更低，并能同时提供更好的可靠性。”

　　IDT的集成频率裕量设定功能使客户能够在业界采用一个技术技巧作为“额外PPM时钟”.这一技术时钟系统处在一个稍微更高的频率，允许OEM厂商降低误码率，并能减少网络应用的封装损失。与只提供固定频率的竞争性MEMS器件不同，IDT的器件允许数以百计的偏频，它们会在达到625兆赫的任何基础频率选择之后--甚至在终生产系统中产生。这使得设计人员能够加快开发进程和优化系统性能。

　　4H MEMS振荡器利用IDT的压电MEMS（pMEMS）谐振器技术，可提供一个拥有无与伦比性能和可靠性的高频率源。IDT MEMS振荡器提供优于石英40倍的可靠性，无扰动、无零时故障、对电磁干扰 （EMI） 有更高抖动阻力，并具有出色的抗冲击和抗振性，这使它们成为传统的基于石英振荡器的一个理想的升级解决方案。

　　IDT 4H系列是在成功的4M和4E 系列MEMS振荡器基础上拓展的。作为差分石英振荡器的嵌入式替代品，4M标准振荡器可提供显着性能，相位抖动不到1皮秒（ps）。 4E 升级版振荡器将一个LVDS 或 LVPECL 输出和一个同步CMOS 输出集成到单一封装中，无需外部晶体和二级振荡器。此外，4E 振荡器拥有四个可选的输出频率，允许用一个单一的器件替换四个组件，减少材料清单，巩固库存。

　　供货

　　IDT 4H MEMS 振荡器目前处于客户送样阶段，采用标准的 7.0 x 5.0 mm, 5.0 x 3.2mm 和3.2 x 2.5mm VFQFPN封装。可用大多数标准频率。自定义频率可根据要求进行配置。