IGBT的开关过程主要是由栅极电压VGE控制的，由于栅极和发射极之间存在着寄生电容艮，因此IGBT的开通与关断就相当于对CGE进行充电与放电。假设IGBT初始状态为关断状态，即VGE为负压VGC-，后级输出为阻感性负载，带有...
分类：元器件应用 时间：2023-05-19 阅读：56
PI 汽车级驱动板SCALETM EV优化并保障SiC和IGBT开关电路
前不久深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations（PI）推出了一款SCALETM EV系列门极驱动板，该驱动板通过汽车级认证和ASIL B认证，可实现AS...
ST-意法半导体双通道栅极驱动器优化并简化SiC和IGBT开关电路
IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET栅极驱动器在高压电力变换和工业应用中节省空间，简化电路设计。 IGBT驱动器STGAP2HD 和SiC MOSFET驱动器STGAP2SICD 利用意法半导体最新的电隔离技术，采用SO-36W 宽体封装，能够耐受6kV...
IGBT的开关过程主要是由栅极电压VGE控制的，由于栅极和发射极之间存在着寄生电容艮，因此IGBT的开通与关断就相当于对CGE进行充电与放电。假设IGBT初始状态为关断状态，即VG...
时间：2020-02-06 阅读：746 关键词：IGBT开关
1. 概述 HWKT—09型微机励磁调节器是武汉洪山电工技术研究所研制的新型的由IGBT作为功率输出器件的自并激微机励磁调节器。它的特点是结构简单，主控回路只需一块面积为25×20(cm2)的印制电路板，以Intel公司准16...
