IEC 60747-9 标准以 IGBT 为例解释了相应的测试设置和测量结果。正如预期的那样，没有给出有关实际设计和可能的陷阱的进一步细节。 双脉冲有什么用？ 图 1 显示了可...
MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的场效应晶体管，常用于电子设备中作为开关或放大器。以下是MOSFET的工作原理和特点： 工作原理：结构：M...
之前，我们了解了MOSFET 共源放大器的大信号和小信号行为。这些分析虽然有用，但仅适用于低频操作。为了了解共源 (CS) 放大器如何在较高频率下工作，我们需要更详细地检查...
时间：2024-02-29 阅读：168 关键词：MOSFET
放大器基本上是每个模拟电路的一部分。MOSFET 是出色的放大器件，这就是为什么有多种基于它们的单级放大器拓扑。它们根据哪个晶体管端子是输入、哪个是输出来区分。 在...
金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）比结型 FET 具有更大的商业重要性。MOSFET 是具有多种功能的三端器件，涵盖信号放大到数字应用，例如逻辑门和寄存器或存储器阵列。 耗尽型 n 沟道 MOSFET。图片由新泽西半...
分类：元器件应用 时间：2024-01-18 阅读：848 关键词：耗尽型 MOSFET
两种损失 原则上，功率半导体有两种损耗：通态损耗和开关损耗。后者包括开通和关断损耗。通态损耗由电流、通态电压（对于 MOSFET，由其 R DSon）和占空比决定。在描述功...
时间：2024-01-17 阅读：717 关键词：续流二极管
什么是小信号分析？ 当我们说“小信号”时，我们到底是什么意思？为了定义这一点，让我们参考图 1，它显示了逆变器的输出传输特性。 逆变器的传输特性。 图 1.逆...
时间：2024-01-15 阅读：796
SiC MOSFET 的优点 SiC MOSFET 的根本优势源自碳化硅材料本身。与传统的硅基半导体相比，SiC 因其卓越的物理和电气特性而脱颖而出。由于碳化硅的带隙比硅大，因此可以承...
分类：元器件应用 时间：2024-01-08 阅读：398 关键词：SiC MOSFET
适用于最高电压?Class Si IGBT 和 SiC MOSFET 的封装
电力电子及其效率的重要性也随之增加。为了最大限度地减少电力电子设备中的能量损失，我们需要更仔细地检查所涉及组件的各个方面。 对于这些电力电子系统中使用的拓扑，...
分类：电源技术 时间：2023-12-25 阅读：519
车级 MOSFET 采用新型 TO 无引线封装，旨在优化两轮和三轮车辆以及其他轻型车辆、汽车 BLDC 电机和电动汽车电池管理的车载电池的电流能力。 据该公司介绍，汽车 TOLL 封装采用先进的夹子技术来实现高浪涌电流额定...
恒流源在电路分析练习和网络定理中占有重要地位，然后它们似乎或多或少消失了。。。除非你是IC设计师。尽管在典型 PCB 设计中很少遇到，但电流源在模拟 IC 领域却无处不在...
MOSFET 在静态状态下提供最大性能，并且在此配置中其功率效率相当高。然而，如果以动态方式推动它们，它们的效率可能会降低，并且损失的功率肯定会增加。SPICE 的软件实现...
分立 MOSFET 数据表中最重要的规格之一是漏源通态电阻，缩写为 R DS (on)。这个 R DS (on)想法看起来非常简单：当 FET 处于截止状态时，源极和漏极之间的电阻非常高，以至...
MOSFET结构 MOS 晶体管是一种四端器件，由栅极 (G)、漏极 (D)、源极 (S) 和体 (B) 组成。图 1 显示了两种类型的 MOS 晶体管：N 沟道 MOSFET (NMOS) 和 P 沟道 MOSFET (P...
本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦合器 IC 的栅极驱动器功率和热耗散的主题。栅极驱动光耦合器用于驱动、开启和关闭功率半导体开关、MOSFET/IGBT。栅极驱动功率计算可分为...
本应用笔记介绍了功率 MOSFET、其电气特性定义和使用说明。介绍了功率MOSFET的破坏机制和对策及其应用和电机驱动应用。 电气特性定义及使用说明 功率 MOSFET 绝对...
MOSFET 和 IGBT 技术 由于不存在少数载流子传输，MOSFET 可以以更高的频率进行开关。对此的限制由两个因素决定：电子穿过漂移区的传输时间以及对输入栅极和米勒电容充电...
本应用笔记介绍了功率 MOSFET、其电气特性定义和使用说明。介绍了功率MOSFET的破坏机制和对策及其应用和电机驱动应用。 电气特性定义及使用说明 功率 MOSFET 绝对最...
热插拔是指将电子设备插入带电电源；这可能会损坏相关电子设备。电容性负载可能会产生较大的负载电流，从而给电源、电缆组件和任何限流电路带来压力。此外，电缆寄生电感上...
所有高压 MOSFET 和 IGBT SPICE 模型都一样吗？
如果有足够的时间，大多数工程师都有正确的意图。作为一名工程师，您多久想要了解电路应用中每个部件的行为方式？是的——检查一下。半导体公司的模型通常是否真实代表了电...
