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1N4150 Datasheet

  • 1N4150

  • Silicon Epitaxial Planar Diode

  • 37.88KB

  • Vishay

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1N4150
Vishay Telefunken
Silicon Epitaxial Planar Diode
Features
D
Low forward voltage drop
D
High forward current capability
Applications
High speed switch and general purpose use in com-
puter and industrial applications
94 9367
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25
_
C
Parameter
Repetitive peak reverse voltage
Reverse voltage
Peak forward surge current
Forward current
Average forward current
Power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Test Conditions
Type
Symbol
V
RRM
V
R
I
FSM
I
F
I
FAV
P
V
P
V
T
j
T
stg
Value
50
50
4
600
300
440
500
175
鈥?5...+175
Unit
V
V
A
mA
mA
mW
mW
掳
C
掳
C
t
p
=1
m
s
V
R
=0
l=4mm, T
L
=45
掳
C
l=4mm, T
L
25
掳
C
x
Maximum Thermal Resistance
T
j
= 25
_
C
Parameter
Junction ambient
Test Conditions
l=4mm, T
L
=constant
Symbol
R
thJA
Value
350
Unit
K/W
Document Number 85522
Rev. 2, 01-Apr-99
www.vishay.de
鈥?/div>
FaxBack +1-408-970-5600
1 (3)

1N4150 产品属性

  • 2,000

  • 分离式半导体产品

  • 单二极管/整流器

  • -

  • 标准

  • 50V

  • 200mA

  • 1V @ 200mA

  • 小信号 =

  • 6ns

  • 100nA @ 50V

  • 2.5pF @ 0V，1MHz

  • 通孔

  • DO-204AH，DO-35，轴向

  • DO-35

  • 散装

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    版本
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    GOLD BONDED DIODES(Low forward voltage, low power consumptio...
    ETC [ETC]
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    英文版
    GOLD BONDED DIODES(Low forward voltage, low power consumptio...
    ETC
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