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2SK3225 Datasheet

  • 2SK3225

  • MOS Field Effect Transistor

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  • NEC

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DATA SHEET
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
2SK3225
SWITCHING
N-CHANNEL POWER MOS FET
INDUSTRIAL USE
ORDERING INFORMATION
PART NUMBER
2SK3225
2SK3225-Z
PACKAGE
TO-251
TO-252
DESCRIPTION
This product is N-Channel MOS Field Effect Transistor
designed for high current switching applications.
FEATURES
鈥?/div>
Low On-State Resistance
R
DS(on)1
= 18 m鈩?MAX. (V
GS
= 10 V, I
D
= 17 A)
R
DS(on)2
= 27 m鈩?MAX. (V
GS
= 4.0 V, I
D
= 17 A)
鈥?/div>
Low C
iss
: C
iss
= 2100 pF TYP.
鈥?/div>
Built-in Gate Protection Diode
鈥?/div>
TO-251/TO-252 package
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 掳C)
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current (DC)
Drain Current (Pulse)
Note
V
DSS
V
GSS(AC)
V
GSS(DC)
I
D(DC)
I
D(pulse)
P
T
P
T
T
ch
T
stg
60
卤20
+20,
鈭?0
卤34
卤136
40
2.0
150
鈥?5 to +150
V
V
V
A
A
W
W
掳C
掳C
Total Power Dissipation (T
C
= 25掳C)
Total Power Dissipation (T
A
= 25掳C)
Channel Temperature
Storage Temperature
Note
PW
鈮?/div>
10
碌
s, Duty cycle
鈮?/div>
1 %
THERMAL RESISTANCE
Channel to Case
Channel to Ambient
R
th(ch-C)
R
th(ch-A)
3.13
125
掳C/W
掳C/W
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confirm that this is the latest version.
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for
availability and additional information.
Document No.
D13798EJ1V0DS00 (1st edition)
Date Published May 1999 NS CP(K)
Printed in Japan
漏
1998,1999

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  • 型号
    版本
    描述
    厂商
    下载
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    NEC
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    ROHM
    2SK30
  • 2SK30
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    Silicon N-Channel Power F-MOS FET
    PANASONIC
    2SK30
  • 2SK30
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