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2SK3799 Datasheet

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2SK3799
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (蟺-MOSIV)
2SK3799
Switching Regulator Applications
Low drain-source ON resistance
High forward transfer admittance
: R
DS (ON)
= 1.0
鈩?/div>
(typ.)
: |Y
fs
| = 6.0 S (typ.)
Unit: mm
Low leakage current : I
DSS
= 100渭A (max) (V
DS
= 720 V)
Enhancement model : V
th
= 2.0 to 4.0 V (V
DS
= 10 V, I
D
= 1 mA)
Maximum Ratings
(Ta = 25掳C)
Characteristic
Drain-source voltage
Drain-gate voltage (R
GS
= 20 k鈩?
Gate-source voltage
Drain current
DC
(Note 1)
Symbol
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
stg
Rating
900
900
卤30
8
24
50
1080
8
5
150
鈭?5~150
Unit
V
V
V
A
A
W
mJ
A
mJ
掳C
掳C
1. Gate
2. Drain
3. Source
Pulse (Note 1)
Drain power dissipation
Single pulse avalanche energy
(Note 2)
Avalanche current
Repetitive avalanche energy (Note 3)
Channel temperature
Storage temperature range
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
鈥?/div>
SC-67
2-10U1B
Weight: 1.7 g (typ.)
2
Thermal Characteristics
Characteristic
Thermal resistance, channel to case
Thermal resistance, channel to
ambient
Symbol
R
th (ch鈭抍)
R
th (ch鈭抋)
Max
2.5
62.5
Unit
掳C / W
掳C / W
1
Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150掳C during use of the device.
Note 2: V
DD
= 90 V, T
ch
= 25掳C (initial), L = 30.9 mH, R
G
= 25鈩? I
AR
= 8 A
Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel temperature.
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care.
3
1
2005-01-24

2SK3799 产品属性

  • ?频道

  • 8A

  • 900V

  • 1.3ohm

  • 10V

  • 4V

  • 50W

  • TO-220SIS

  • 3

  • 50W

  • 50W

  • TO-220SIS

  • 8A

  • 10V

  • 900V

  • 30V

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