手机端

手机版

芯视频 APP

微信公众号

维库官方抖音

微信头条号
|
你好，欢迎来到维库电子市场网
登录 | 免费注册

IC Datasheet频道、中国IC资料网

BST82数据手册封面

BST82 Datasheet

IC型号：
BST82
PDF描述：
N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
文件大小：
74.39KB
PDF页数：
12 Pages页
芯片厂家：
PHILIPS [Philips Semiconductors]

纠错 0

扫码查看芯片数据手册

上传产品规格书

BST82 产品属性

典型输入电容值@Vds
25 pF V @ 10
安装类型
表面贴装
宽度
1.4mm
封装类型
TO-236AB
尺寸
3 x 1.4 x 1mm
引脚数目
3
最低工作温度
-65 °C
最大功率耗散
0.83 W
最大栅源电压
±20 V
最大漏源电压
100 V
最大漏源电阻值
10
最大连续漏极电流
0.19 A
最高工作温度
+150 °C
每片芯片元件数目
1
类别
功率 MOSFET
通道模式
增强
通道类型
N
配置
单
长度
3mm
高度
1mm

BST82相关型号PDF文件下载

型号

版本

描述

厂商

下载
BST80

英文版

N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor

PHILIPS

BST80
BST80

英文版

N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor

PHILIPS [P...

BST80
BST82

英文版

N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor

PHILIPS

BST82
BST82

英文版

N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor

PHILIPS [P...

BST82
BST84

英文版

N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor

PHILIPS

BST84
BST84

英文版

N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor

PHILIPS [P...

BST84
BST86

英文版

N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor

PHILIPS

BST86
BST86

英文版

N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor

PHILIPS [P...

BST86
BST80-T

英文版

TRANSISTOR 500 mA, 80 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET...

PHILIPS

BST80-T
BST82,215

英文版

MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23

BST82,215

您可能感兴趣的PDF文件资料

热门IC型号推荐