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IC Datasheet频道、中国IC资料网

FMB857B数据手册封面

FMB857B Datasheet

IC型号：
FMB857B
PDF描述：
256Mb F-die DDR SDRAM Specification
文件大小：
329.94KB
PDF页数：
23 Pages页
芯片厂家：
SAMSUNG [Samsung semiconductor]

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FMB857B PDF文件相关型号

K4H560838F-TC/LA2,K4H560838F-TC/LAA,K4H560838F-TC/LB0,K4H560838F-TC/LB3,K4H561638F-TC/LA2,K4H561638F-TC/LAA,K4H561638F-TC/LB0,K4H561638F-TC/LB3

FMB857B 产品属性

标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
晶体管(BJT) - 单路
系列
-
晶体管类型
PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
500mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
45V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
650mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大）
-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
220 @ 2mA，5V
功率 - 最大
700mW
频率 - 转换
-
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商设备封装
6-SSOT
包装
带卷 (TR)

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型号

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FMB857B

英文版

256Mb F-die DDR SDRAM Specification

FMB857B
FMB857B

英文版

256Mb F-die DDR SDRAM Specification

SAMSUNG [S...

FMB857B

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