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GT20J101 Datasheet

  • GT20J101

  • TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel ...

  • 259.67KB

  • 6 Pages页

  • TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]

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GT20J101 产品属性

  • 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）

  • 20A

  • 2.7V

  • 130W

  • 600V

  • -55°C 到 +150°C

  • TO-3P

  • 3

  • 12ns

  • 130W

  • 130W

  • TO-3P (N)

  • ?频道

  • 130W

  • 20A

  • 600V

  • 40A

  • 通孔安装

  • GCE

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