PHT4NQ10T Datasheet

  • PHT4NQ10T

  • N-channel enhancement mode field-effect transistor

  • 351.57KB

  • 13 Pages页

  • PHILIPS [Philips Semiconductors]

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PHT4NQ10T 产品属性

  • 20 ns

  • 8 ns

  • 7.4 nC V @ 10

  • 300 pF V @ 25

  • 表面贴装

  • 3.7mm

  • SC-73

  • 6.7 x 3.7 x 1.7mm

  • 4

  • -65 °C

  • 6900 mW

  • ±20 V

  • 100 V

  • 0.25

  • 3.5 A

  • +150 °C

  • 1

  • 功率 MOSFET

  • 增强

  • N

  • 双漏极、单

  • 6.7mm

  • 1.7mm

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