SI4925DDY-T1-GE3 Datasheet

  • SI4925DDY-T1-GE3

  • MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC

  • 173.00KB

  • 9页

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SI4925DDY-T1-GE3 产品属性

  • 2,500

  • 分离式半导体产品

  • FET - 阵列

  • TrenchFET®

  • 2 个 P 沟道(双)

  • 标准型

  • 30V

  • 8A

  • 29 毫欧 @ 7.3A,10V

  • 3V @ 250µA

  • 50nC @ 10V

  • 1350pF @ 15V

  • 5W

  • 表面贴装

  • 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 8-SOIC(窄型)

  • 带卷 (TR)

  • SI4925DDY-T1-GE3-NDSI4925DDY-T1-GE3TR

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