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IC Datasheet频道、中国IC资料网

SP8K2TB Datasheet

IC型号：
SP8K2TB
PDF描述：
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC
文件大小：
60.00KB
PDF页数：
4页

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SP8K2TB 产品属性

特色产品
ECOMOS? Series MOSFETs
标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 阵列
系列
-
FET 型
2 个 N 沟道（双）
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
6A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
30 毫欧 @ 6A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
10.1nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
520pF @ 10V
功率 - 最大
2W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装
8-SOICN
包装
带卷 (TR)
其它名称
SP8K2TB-NDSP8K2TBTR

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型号

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描述

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