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SPD08P06P Datasheet

  • SPD08P06P

  • SIPMOS Power-Transistor

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  • 9 Pages页

  • INFINEON [Infineon Technologies AG]

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SPU08P06P

SPD08P06P 产品属性

  • 48 ns

  • 16 ns

  • 10 nC V @ 10

  • 335 pF V @ 25

  • 表面贴装

  • 6.22mm

  • TO-252

  • 6.5 x 6.22 x 2.3mm

  • 3

  • -55 °C

  • 42000 mW

  • ±20 V

  • 60 V

  • 0.3

  • 8.83 A

  • +175 °C

  • 1

  • 功率 MOSFET

  • 增强

  • P

  • 单

  • 6.5mm

  • 2.3mm

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