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如何提高三星FLASH写入操作的可靠性?

作者:mylu7735 栏目:嵌入式系统
如何提高三星FLASH写入操作的可靠性?
我用的是三星的K9F6408U0C.html">K9F6408U0C FLASH存储芯片,想请教两个问题:

1. 按资料上说编程时需要先发送80H,然后是编程开始地址,接着是发送新的数据,最后是确认写入命令10H.
   请问各位,如果这想写入8字节的数据,而这8字节数据中的第3个恰好是10H,这时,第3个数据(10H)发送完后芯片内部是否已经开始了写入处理,而后续写入的5个字节数据并没有真正得到写入?如果真是这样,请问如何处理是好?

2. K9F6408芯片是基于页编程的,但是也可以从页中任意位置开始写入不多于一页的数据。在定位写入位置(即开始位置在页中的偏移)时,可以用00H(用于A区[0~255Byte]定位),01H(用于B区[256~511Byte]定位),05H(用于C区[512~527Byte]定位)作为写指令80H的前缀。
    这里我有些搞不明白,00H,01H,05H分别是A,B,C区的读取指令,后续的是地址,而作为编程指令80H的前缀时,会不会被误认为是读指令的后续地址部分。比如我要读某页B区第80H开始的20H字节数据,这时发送指令的顺序应该是:01H,80H,Add2,Add3;这个指令串是否会被解释为编程指令呢,或是按这样的顺序发送的编程指令会被解释为读指令呢?


这两个已困绕我多时,各位大虾能否给小弟作个解释,多谢各位!!!

* - 本贴最后修改时间:2005-3-1 18:53:26 修改者:mylu7735

2楼: >>参与讨论
hushanzdy
迷惑于FLASH
那位大虾:
我也有这样的迷惑,请你们赐教,或请版主指点。

3楼: >>参与讨论
puppyh
你没有好好看数据手册
发送指令和发送数据时又一个CLE引脚来判断是指令还是数据


4楼: >>参与讨论
mylu7735
原来是这样

谢谢puppyh!
我忽略了ALC与CLE这两个细节了,多谢了!

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