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求助 闪存读写时序问题 做过闪存或英文好的都请进 |
| 作者：temp2003 栏目：技术交流 |
我再编写K9F5608U0C 闪存芯片的时候 碰见这些问题 请各位指点指点 问题一： 检查无效Block 时 需要检查页面的517字节是否为FFH 文中写到 “Check 'FFH' at the column address 517 (X8 DEVICE) or 256 and 261 (X16 DEVICE) of the 1st and 2nd page in the block” 如果结果是"NO" 就表示这一BLOCK是坏的 我用的是8位的 在这是要检查第1页和第2页的第517字节是否为FFH 上面的含义是2个同时不为FFH 表示坏块 还是只要有1个不为FFH 表示坏块 问题二： 三星的这类闪存是不是需要先擦除才能够写入 ， 还是直接就可以用 问题三： 闪存每页附加的16个字节 可以自己随便用么（刚才的517字节正好在这个区域） 问题四： 按块擦除时， 会不会影响每页的517字节 初次做闪存的东西，让各位见笑了，笑归笑， 有空指导我一下 感激不尽 |
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