|
技术交流 | 电路欣赏 | 工控天地 | 数字广电 | 通信技术 | 电源技术 | 测控之家 | EMC技术 | ARM技术 | EDA技术 | PCB技术 | 嵌入式系统 驱动编程 | 集成电路 | 器件替换 | 模拟技术 | 新手园地 | 单 片 机 | DSP技术 | MCU技术 | IC 设计 | IC 产业 | CAN-bus/DeviceNe |
谁知道只有0.3v管压降的贴片二极管型号 |
作者:流金岁月 栏目:技术交流 |
我用于电源对电池充电上,5V通过二极管降0.3v对电池充电,电池对RAM放电,保持数据,之前用的4148的,可能压降大,RAM工作效果不好! |
2楼: | >>参与讨论 |
作者: 老虎今晚打 于 2005/7/10 17:19:00 发布:
SK14、SS21,8过SBD漏电流很大,用来作掉电保持并不合适。 |
3楼: | >>参与讨论 |
作者: xwj 于 2005/7/10 17:24:00 发布:
RAM保持电压可以很低,不会受这点电压影响的 |
4楼: | >>参与讨论 |
作者: 赤铸 于 2005/7/10 17:27:00 发布:
肖特基漏电流都很大,做掉电保持只能用硅二极管 要降低压降,就在二极管两端并MOSFET,或者用掉电保持芯片 |
5楼: | >>参与讨论 |
作者: 老虎今晚打 于 2005/7/10 18:01:00 发布:
同意xwj,RAM这点耗电量用MOSFET可笑了一些。 如果RAM丢数,找其他原因,如CPU掉电时电压过低乱跑冲掉了数据,不应该4148压降太大的原因。 |
6楼: | >>参与讨论 |
作者: 流金岁月 于 2005/7/10 20:38:00 发布:
我得RAM是HM628512 我得RAM是HM628512,资料上提供的工作电压是5v,如果考虑到二极管的管压降的问题,实际供电为4.3V,所有我考虑用0.3v管压降的管子!不是几位认为的功耗的问题! |
7楼: | >>参与讨论 |
作者: duzhh 于 2005/7/10 20:41:00 发布:
RD411,行吗? |
8楼: | >>参与讨论 |
作者: mmxzws 于 2005/7/10 22:30:00 发布:
请问赤铸老师: 请问赤铸老师: “要降低压降,就在二极管两端并MOSFEF” 是说在二极管两端并MOSFET可以降低二极管的正向导通压降吗? 如何接法?原理是什么? looking forward to your reply,thanks! |
9楼: | >>参与讨论 |
作者: alanlang 于 2005/7/11 0:16:00 发布:
bat54 |
10楼: | >>参与讨论 |
作者: 赤铸 于 2005/7/11 1:19:00 发布:
看看RAM资料 数据保持电压一般比正常工作电压低很多,HM628512大概是2V,一般用不着MOSFET |
11楼: | >>参与讨论 |
作者: ccoldman 于 2005/7/11 10:50:00 发布:
推荐1N60 |
12楼: | >>参与讨论 |
作者: 流金岁月 于 2005/7/11 14:07:00 发布:
to 赤铸老师 资料上它的参数如下: Parameter Symbol Min Typ Max Unit Supply voltage VCC 4.5 5.0 5.5 V VSS 0 0 0 V Input high voltage VIH 2.2 — VCC + 0.3 V Input low voltage VIL –0.3*1 — 0.8 V 我得是4.3V,所以工作中才有乱码出现的 |
13楼: | >>参与讨论 |
作者: 567 于 2005/7/12 19:33:00 发布:
正常工作电压和数据保持电压不是一回事。 掉电后,要禁止读写,否则结果难料! * - 本贴最后修改时间:2005-7-12 19:34:41 修改者:567 |
14楼: | >>参与讨论 |
作者: 赤铸 于 2005/7/13 0:40:00 发布:
估计你的复位电路没做好 片选信号可能要加确保掉电后为高(不选中) |
15楼: | >>参与讨论 |
作者: 流金岁月 于 2005/7/13 22:12:00 发布:
to 赤铸老师 我得HM628512在工作时是4.3V,所以在偶有误码,我想问是不是由于我在VCC与RAM之间由于串了一个4148的二极管引起的管压降造成的呢!谢谢帮我解答一下! |
|
|
免费注册为维库电子开发网会员,参与电子工程师社区讨论,点此进入 |
Copyright © 1998-2006 www.dzsc.com 浙ICP证030469号 |