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请教一个MOSFET的电路??? |
| 作者：dragontan 栏目：电源技术 |
大家好, 如图,我使用了一个P沟道的MOS管,SI2301,为什么在栅级(K1打开)悬空的情 况下, 管子不关断呢? J5是大概一个8V的输出... ... 书上说, Vgs之间的电压为0时,管子即关断,为什么K1断开时不关断? 我把R24去掉, 两端短接,管子就关断了... ... 这是为什么? 我该怎么做,还情MOS达人指点.... 小弟叩谢....
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| 2楼： | >>参与讨论 |
| 作者： dragontan 于 2005/9/27 11:31:00 发布：
我该怎么做..... 我应该怎么做,才能用K1控制J5的12V电压输出??? 请指教.... |
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| 3楼： | >>参与讨论 |
| 作者： asunmad 于 2005/9/27 12:05:00 发布：
R24、C20的时间常数（1ms）太长 K1断开后几ms之内MOS管可能保几ms的开启状态。 |
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| 4楼： | >>参与讨论 |
| 作者： dragontan 于 2005/9/27 14:01:00 发布：
变成这样子了... ... (1) K1打开, R24 取10K时,MOS管的3腿(漏极)的电压为6.5V; R24 取4.7K时,MOS管的3腿(漏极)的电压为3.5V; R24 取1K时,MOS管的3腿(漏极)的电压为0.38V; 为什么当K1断开时, Vgs=0, 输出电压和R24的大小有关?? 此时MOS管应该是关断的啊.? (2) 我取R24=1K, R25=4.7K, 当上电时,MOS管漏极电压输出是0V, 但是当K1接通一次后, 漏极电压输出就一直维持在12V下不来, 是怎么回事?? 我的J5串联了一个200K的电阻, 是不是和这个有关系呢??? 这两个问题,还情指教啊. |
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| 5楼： | >>参与讨论 |
| 作者： dragontan 于 2005/9/27 15:29:00 发布：
关于问题(1)(2)的解决方法... ... 我发现如果将接在负载的200K电阻换个比较小的电阻,就不会出现(1),(2)的问题. K1可以正常关断/接通MOS管. 这个问题,怎么解释???一下.... 叩谢... ... * - 本贴最后修改时间：2005-9-27 15:33:14 修改者：dragontan |
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| 6楼： | >>参与讨论 |
| 作者： asunmad 于 2005/9/27 20:15:00 发布：
要考虑电容充放电的时间常数。 （１）假设K1先接通充分长的时间，则MOS管VGS为某个确定的值VGS1，这时如果K1断开，VGS并不立即变为０，而是以放电时间常数τ=R24×C20逐渐变小（指绝对值），如果开关动作较快，则MOS管还没来得及判断就又重新开启了。 （２）K1断开期间，一方面MOS管从导通到截止需要时间，另一方面输出电容上的电荷通过负载放电需要时间，如果这个时间远长于K1开关频率，则输出几乎是稳定的。 |
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| 7楼： | >>参与讨论 |
| 作者： dragontan 于 2005/9/27 21:40:00 发布：
非常感谢asunmad... ... 如果K1断开的时间足够长, Vgs是可以掉下来的, 负载的电压也可以掉下来. 我现在发现的问题是, (1) 负载的电阻为200K的时候, K1打开后(过了足够长时间后),MOS管不能关断,有漏极电流输出. (2) 负载的电阻较小(200R)的时候,K1打开后(过了足够长时间后),MOS管就可以关断. (3) 为什么负载电阻在200K的时候, MOS管的漏极电流不能完全关断呢??? 还情继续指教... ... |
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| 8楼： | >>参与讨论 |
| 作者： j77 于 2005/9/28 14:23:00 发布：
不是电流控制？ 管子是电流控制的，其实K断开也还是用一点电流。建议R25去掉，可以使控制脚为O。我也不是很了解MOSFET，但用过几回 |
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| 9楼： | >>参与讨论 |
| 作者： oldzhang 于 2005/9/28 23:52:00 发布：
地线怎么连的 你怎么判断200K负载MOS管没关断? 你的输出端接了470UF 的电容,如果200K负载,负载电压要降下来要近100秒的 电路没问题,R25可以省略 * - 本贴最后修改时间：2005-9-28 23:53:52 修改者：oldzhang |
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| 10楼： | >>参与讨论 |
| 作者： dragontan 于 2005/9/30 9:30:00 发布：
To 老张: 你说的非常有道理, 我忘记计算负载RC电路的放电时间了.我本以为,放电时间不过就是1S之内就完成的事情. 没想到要100S阿?! 现在总算是有些明白了....非常感谢. 至于为什么加了个R25, 是因为我看到MOS管(SI2302)的手册里有一个指标是Vgs之间的电压不能超过+/-8V, 所以我在MOS管导通的时候,加了个R25分压, 以限制Vgs之间的压降,我这么做对吗? 其实我确实也发现了不加R25, MOS管也可以正常工作,也不发烫, 但这样导通时Vgs超过了8V, 这是为什么呢? 究竟是加R25合理呢,还是不加R25合理呢? 还请MOS达人继续指教阿!! |
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| 11楼： | >>参与讨论 |
| 作者： bott 于 2005/10/8 17:27:00 发布：
奇怪 是呀，我也看了SI2302的datasheet，Vgs的SPEC就是+/-8V呀，是不是这个数字太保守了，实际要更高一些？ |
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| 12楼： | >>参与讨论 |
| 作者： dragontan 于 2005/10/9 16:34:00 发布：
有同道中人， 那就还请继续指教了阿：） |
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