登录 免费注册 首页 | 行业黑名单 | 帮助
维库电子市场网
技术交流 | 电路欣赏 | 工控天地 | 数字广电 | 通信技术 | 电源技术 | 测控之家 | EMC技术 | ARM技术 | EDA技术 | PCB技术 | 嵌入式系统
驱动编程 | 集成电路 | 器件替换 | 模拟技术 | 新手园地 | 单 片 机 | DSP技术 | MCU技术 | IC 设计 | IC 产业 | CAN-bus/DeviceNe

MOSFET管并联即烧

作者:lineling 栏目:电源技术
MOSFET管并联即烧
     一个简单的PWM降压电路,用一个MOSFETIRF460)工作很稳定,但有点发烫,试想并联一个发热会少点,不料并联后上电即烧,有时烧一个,有时两个全烧。望哪位高手指点一下问题出在哪里。

2楼: >>参与讨论
huyuan895
条件不够
条件不够分析
输入、输出、功率、频率和控制集成电路?

3楼: >>参与讨论
lineling
详细条件
  AC220V整流滤波后作为输入,用3842作为控制芯片(频率为1K),降压后得到80V电压,带50欧姆电阻负载.

4楼: >>参与讨论
huyuan895
估计为耐压不够击穿烧毁
1、IRF460耐压500V,21A,0.27R,用于300V(AC220V整流滤波后)开关电源耐压不够,除非有良好的尖峰吸收网络;
2、3842作为控制芯片,频率为1K好象太低,1K的尖峰吸收网络更要好好设计!
3、控制双管不能简单并用。

--IRF460估计为耐压不够击穿烧毁

5楼: >>参与讨论
lineling
谢谢你的回答
    但我最不明白的是,为什么单个管子能行呢.并且己有吸收回路.是否多个管子并用不能这么简单的并接.

6楼: >>参与讨论
lineling
能否推荐一个比460更适合的管子呢
 
7楼: >>参与讨论
wofansile
你把1K的频率变大一点看看
 
8楼: >>参与讨论
flg01
有寄生振荡产生
MOSFET并联时,g极要接一个小电阻的

9楼: >>参与讨论
超级不会
非也!!
一个能正常工作的话,问题应该是推动不够(就是驱动电流),两个管子都进入了放大工作状态。建议加个推挽放大电路!

10楼: >>参与讨论
lnb1997
超级不会说得对。460耐压确实也不够。
你要是反激电路,或正激电路的话。你做的功率是130W可以选2SK1358FQA11N902SK1358耐压为900V电流是9A。11N90耐压为900V电流是11.4A导通内阻是0.96欧。可以满足你的要求,你可以把频率调高到40K以上。这样变压器的体积就下来了。我做240W的用11N90。相当好。

11楼: >>参与讨论
lineling
非常感谢大侠的建议
 
12楼: >>参与讨论
lineling
再次感谢各侠
     flg01大侠说得对,加个小电阻就行了.非常的感谢


参与讨论
昵称:
讨论内容:
 
 
相关帖子
为什么充电状态一直不对?
请教:怎么做有休眠功能的电源?不甚感激!
应该用MOSFET还是IGBT?PWM后直接滤波输出直流行不?
这个电路满载不热,空载发热严重,(有图)
请问有没有0805的2%精度的电容?急
免费注册为维库电子开发网会员,参与电子工程师社区讨论,点此进入


Copyright © 1998-2006 www.dzsc.com 浙ICP证030469号