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指教：看看我的市电过零检测，然后延时触发可控硅电路。 |
| 来源：21ic 作者：chengsong 栏目：单片机 |
| 指教：看看我的市电过零检测，然后延时触发可控硅电路。 大家请多指教。 就是先检测交流电过零时刻，然后单片机一定延时，再触发可控硅，控制电机的转速。 F://3.JPG |
| 1楼： | >>参与讨论 |
| 作者： chengsong 于 2005-11-23 18:11:00 发布：
图片怎么出不来？
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| 2楼： | >>参与讨论 |
| 作者： lu12345 于 2005-11-23 19:39:00 发布：
这样不好 第一过零检测点不好，应在变压器降压后，分两路一路电阻分压后到单片机，另一路串一二级管后滤波为单片机共电。 第二，光耦，可控硅要有保护。 我不知你的电机是交流还是直流，是交流的话就完全不对。 下面的网站是初学着的好去处，可免费注册 |
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| 3楼： | >>参与讨论 |
| 作者： chengsong 于 2005-11-24 12:06:00 发布：
“过零检测点” 为什么不好？没看懂楼上的意思。 我这是用整流桥后，用电压比较器比较，当电压接近于0时产生中断。然后，开始定时，定时器中断后，触发MOC3020触发可控硅。可控硅是单向的，因为听说如果负载是电机的话，双向可控硅不好。 |
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| 4楼： | >>参与讨论 |
| 作者： sharks 于 2005-11-24 22:47:00 发布：
上单片机？没必要吧！ 电路也有错。比较器前加全侨是错误的。 万一比较器的失调刚好是正的，你的电路就没法工作了 |
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| 5楼： | >>参与讨论 |
| 作者： aihe 于 2005-11-25 11:03:00 发布：
用光耦更方便 |
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