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请教MOSFET对dv/dt的耐受性 |
| 作者：droum 栏目：电源技术 |
MOSFET一般是不会发生二次击穿的.但如果漏源电压增长太快,则MOSFET内部的寄生晶体管会发生二次击穿.这就有了MOSFET对dv/dt的耐受性的问题. 遗憾的是只有很少的MOSFET管的参数中有dv/dt的耐受能力这一项(倒是有二极管恢复速度参数,量纲也是dv/dt).例如2SK3728与2SK3530,它们的二极管恢复速度都是5v/ns,它们的dv/dt的耐受能力都是40v/ns. 目前我遇到这样一个问题.我朋友的电路经常烧坏管子5N80,查不出原因,我就像到会不会是漏极电压上升率太快,就在示波器上观察,得知其电压上升率最大值是10v/ns.但其手册中没有标明其dv/dt的耐受能力,只标明其二极管恢复速度是5v/ns. 那么,该管经常损坏的原因是否可能是它不能耐受10v/ns的电压上升率呢? 10v/ns的电压上升率对那些早年的型号的MOSFET管是否太严酷? |
| 2楼： | >>参与讨论 |
| 作者： droum 于 2006/5/8 23:36:00 发布：
有人知道么? |
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| 3楼： | >>参与讨论 |
| 作者： wang_jf 于 2006/5/9 16:21:00 发布：
实际上MOS管大多比二极管dv/dt大。所以光看二极管就可以了 |
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| 4楼： | >>参与讨论 |
| 作者： droum 于 2006/5/10 9:45:00 发布：
为什么? 二极管恢复速度是5v/ns,指的是2极管从正向导通变为反向时的点压恢复上升率. 一般电路很少使厂效应管中的2极管正向导通,我朋友电路也是如此.因此可以不考虑此2极管的性能. MOS管大多比二极管dv/dt大,对2003年后出现的MOS管.2001年以前出现的管也如此么? 如果只考虑2极管,那么,对5N80来说,其2极管恢复电压上升率是5v/ns,而电路测得的10v/ns大于它,就意味这此MOS管不能耐受? |
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| 5楼： | >>参与讨论 |
| 作者： cosmo_dong 于 2006/5/12 10:06:00 发布：
有点意思，关注中！ 你朋友有没有尝试加大Rgs，人为加大驱动时间降低dv/dt后MOS会不会损坏呢？ 再就是其他能导致损坏的原因也不能简单的排除啊！ |
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| 6楼： | >>参与讨论 |
| 作者： droum 于 2006/5/12 13:03:00 发布：
其它原因都被有关资料排除 只有这个原因无资料可寻 |
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| 7楼： | >>参与讨论 |
| 作者： judge 于 2006/5/12 19:45:00 发布：
顶一下. 做技术有时是要细些, 我也关注 |
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| 8楼： | >>参与讨论 |
| 作者： rouch 于 2006/5/14 0:01:00 发布：
加个续流2级管如何呢？多半是你说那个原因吧 |
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| 9楼： | >>参与讨论 |
| 作者： COSMO_DONG 于 2006/5/16 8:53:00 发布：
"其它原因都被有关资料排除"应该那出来看看！ 电源看着简单，其实要做好也不容易！ 你多提供些信息把，我们不能没个参照瞎猜啊！ 如果你肯定是DV/DT惹的祸，你有没有尝试用各种方法验证啊？ 这样没头没脑的猜对大家都没好处的！ |
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| 10楼： | >>参与讨论 |
| 作者： ANALOGMAN 于 2006/5/17 9:09:00 发布：
没法给 MOSFET得dv/dt耐受性和门极驱动电路有关。 |
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| 11楼： | >>参与讨论 |
| 作者： cosmo_dong 于 2006/5/17 11:43:00 发布：
.............. |
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| 12楼： | >>参与讨论 |
| 作者： MOS 于 2008/4/12 8:53:12 发布：
朋友，请教一下，你测量DV/DT，是用专门的设备吗？还是有其他简单的方法！ |
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