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输出部分场效应管老是损坏，请帮忙分析，附贴图！ |
| 作者：lj960221 栏目：模拟技术 |
实际负载电流在1A以下，电阻性负载，控制它的负极到地。不存在冲击电流。输出端场效应管驱动电压G极通过上拉电阻后达到12V。场管型号MGSF1N03，耐压30V，封装为贴片SOT23，过流2.1A,但是实际应用中到目前为止已经损坏了30个了。不知道是何原因?../uploadfile/200705160226481170.jpg ../uploadfile/200705160226481170.jpg
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| 2楼： | >>参与讨论 |
| 作者： 木头东瓜 于 2006/7/21 18:53:00 发布：
5V足够驱动功率管了阿 为什么要反向了，还有，反向电路的R1和R2还可以更加大，用9014就可以。 看看60N03，5V的时候驱动它绰绰有余。 |
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| 3楼： | >>参与讨论 |
| 作者： awey 于 2006/7/21 19:33:00 发布：
1A的负载电流用SOT23的管子有点玄 |
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| 4楼： | >>参与讨论 |
| 作者： mohanwei 于 2006/7/21 20:32:00 发布：
awey说得有道理，楼主先算一下功耗…… mos管在你这个电路里，导通的时候可以看成一个电阻……很容易算出它的功率的，然后看看有没有超过它本身的额定参数，以及SOT23封装的额定参数……（记得把环境温度考虑到里面去） |
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| 5楼： | >>参与讨论 |
| 作者： lj960221 于 2006/7/21 21:41:00 发布：
多谢两位，实际也计算过。 远远低于他的自身功耗，因为他的导通电组很小，大概只有0.008欧姆，实际功耗再0.1W左右，实际运行是几乎没有温升。我一直在怀疑是不是静电或者焊接损害。但是没有理由坏这样多的阿。而且买的是正规代理商的一盘一盘的。是不是MOSFET容易受静电损坏呢？ |
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| 6楼： | >>参与讨论 |
| 作者： awey 于 2006/7/21 23:16:00 发布：
能说说具体是什么负载吗？ 会不会是负载有一定的分布电感？ 不排除是静电引起的。如果是使用过程中损坏的，静电损坏的可能性就不大了。 |
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| 7楼： | >>参与讨论 |
| 作者： lj960221 于 2006/7/22 9:01:00 发布：
电阻性负载.不存在感性 电阻性负载.不存在感性 |
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| 8楼： | >>参与讨论 |
| 作者： 尤新亮 于 2006/7/22 11:13:00 发布：
电阻性负载.不存在感性? 到底负载为何物？其影响应由坛中高手确定。 |
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| 9楼： | >>参与讨论 |
| 作者： 120 于 2006/7/22 17:41:00 发布：
建议在G极和S极之间加一个电容试一下 阻性负载的电感在大电流较高频率下工作时，是不能忽略的. 会有两个不利影响： 1.会在D极产生尖峰电压；比如在负载引线直线一米长，一安的工作电流下.关断时间一微秒，至少会产生1-2伏的过压。 2. 阻性负载的电感和G极电容产生的谐振，会使晶体管工作不正常，实际功耗增大。1安的工作电流很容易使谐振幅度达到10伏以上。 |
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| 10楼： | >>参与讨论 |
| 作者： sheepyang 于 2006/7/24 8:21:00 发布：
30V是指哪个耐压啊？ 是指漏吗？那栅加12V就显得高了。 MOS管的栅压高会存在一种叫time-dependent dielectric breakdown(TDDB) 效应，失效的时间跟实际使用的情况有关系。也许几年，也许几秒钟。 |
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| 11楼： | >>参与讨论 |
| 作者： iraq 于 2006/7/24 12:52:00 发布：
gate串个100K电阻 |
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| 12楼： | >>参与讨论 |
| 作者： erichuolo 于 2006/7/24 19:48:00 发布：
静电造成的损坏 静电造成损坏的可能性大些，焊接时，你的电烙铁是否接地？ |
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| 13楼： | >>参与讨论 |
| 作者： lj960221 于 2006/7/29 12:38:00 发布：
答复! 耐压是Gds，负载时LED，电烙铁全部接地！奇怪了。 |
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| 14楼： | >>参与讨论 |
| 作者： awey 于 2006/7/29 23:21:00 发布：
LED怎么是阻性负载？到底是什么负载？ 何不把负载的图也贴出？技术保密？ |
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| 15楼： | >>参与讨论 |
| 作者： 菠萝头 于 2006/7/31 18:05:00 发布：
按上面的分析 按上面的分析,应该是负载的问题. |
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