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关于HDFlash? |
作者:ygs123456 栏目:MCU技术 |
HDFlash只能擦写100次,并且不能用STX-RLINK调试,只能编程。 是这样吗?如果这样有点不方便? |
2楼: | >>参与讨论 |
作者: 浪淘沙 于 2006/8/25 9:55:00 发布:
HDFlash不是让你做调试用的,你应把它看成一个高级的OTP 编程调试另有手段,使用仿真器。 |
3楼: | >>参与讨论 |
作者: ygs123456 于 2006/8/25 10:22:00 发布:
ST72F324能用STX-RLINK调试? |
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作者: leebai_001 于 2006/8/25 15:55:00 发布:
hdflash擦写100次,这是从那里看到的啊 我怎么没有看到这个参数呢。 |
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作者: dlxiaoqiu 于 2006/8/25 16:09:00 发布:
我用的ST7SCR是100write/erase 要是手高的话,前期调试如果用HDFlash还可以吧,我是不行啊,怕100次真的不够用啊,后期改改还可以! |
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作者: northfish 于 2006/8/25 16:24:00 发布:
擦写次数可以在数据手册的第一页查得到呀 每种型号的工艺和擦写次数可以在数据手册的第一页查得到。100次,一般的来讲是足够满足开发的需要了。一片不够,再加一片,嘿嘿。 |
7楼: | >>参与讨论 |
作者: dlxiaoqiu 于 2006/8/25 16:56:00 发布:
实在不行再加一片么?呵呵 |
8楼: | >>参与讨论 |
作者: dlxiaoqiu 于 2006/8/25 16:57:00 发布:
什么时候我能成为高手啊? |
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作者: leebai_001 于 2006/8/28 9:35:00 发布:
怎么会这样呢??? 擦写次数太少了,严重的弊端啊。 |
10楼: | >>参与讨论 |
作者: 香水城 于 2006/8/28 9:49:00 发布:
浪淘沙不是说了:HDFLASH不是做调试用的,应是一个高级的OTP “严重的弊端”,您说严重了。 请问有多少人产品出厂后还要把程序改来改去?如做产品开发我们有其他更有效的方法,不需要使用FLASH擦了写,写了擦这么麻烦。 使用HDFLASH比用OTP又进了一步,可以使产品在出厂后对Firmware中可能的Bug纠正,进行在线升级,这种需求不需要上万次的擦写。因此使用HDFLASH是在功能和成本上的一个最佳的选择。 |
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作者: leebai_001 于 2006/8/29 8:21:00 发布:
如果需要程序存储器来保存实时参数,那有如何 对于需要该项功能的话,不是没有实现的余地了么。 |
12楼: | >>参与讨论 |
作者: 香水城 于 2006/8/29 9:57:00 发布:
楼上的朋友可以说具体一点吗?什么样的应用需要保存实时参数? 还有一个问题是,这样的应用占多大的比例? 我们设计一个通用产品的原则,或是说选择一个产品功能、应用对象的原则是以使用多数为原则,而设计一个专用产品是以该产品最常用的使用方法为原则。 我知道我们所掌握的资料并不十分全面,所以很想听听楼上这位朋友的意见,您所说的这样的应用是什么?应用范围有多广?应用前景有多大?您的意见有利于我们今后产品设计的定位,希望您在抱怨的基础上提点建设性的意见。 再补充一点,您可以把您的具体要求告诉我们,我们可以帮您参谋一下,ST有不少带XFlash和EEPROM的单片机产品。 谢谢! |
13楼: | >>参与讨论 |
作者: AES_SEA 于 2006/8/29 16:59:00 发布:
我认为ST7的DATASHEET留的裕量是比较大的 我用ST72F324开发程序,联机调,烧了没有1000次也有500次了吧,那块片子还活着呢,呵呵。 当然做最终设计时,一定要以DATASHEET为准,对于要多次擦写的case,如果数据量不多的话,可以考虑在固定位置烧写一定次数后换存储空间地址的办法。比如要保存个字节只使用1个byte的hdflash可重复烧100次,但你使用10个byte来存储可以烧1k次了 |
14楼: | >>参与讨论 |
作者: leebai_001 于 2006/8/29 21:52:00 发布:
多机通讯的问题 现在我有100个单片机,构成单主多从的系统应用。通讯地址,作为一个可配置的参数,要写到每一个单片机中去,这样就可以避免每一个单片机都要对应一个不同的程序,而相差的仅仅只是一个ID地址。类似的应用有很多吧。 我想可以适当考虑增加一些EEPROM,不用太多,几十个字节,作为基本配置。我认为PIC单片机这方面做的很好。 楼上两位提到的方法,也具有一定的可操作性,也非常的赞同。 |
15楼: | >>参与讨论 |
作者: gyt 于 2006/8/30 10:49:00 发布:
好办法 AES_SEA :“可以考虑在固定位置烧写一定次数后换存储空间地址的办法”。 这确实是个好办法。我们在使用EEPROM的时候也是用这种办法的。 |
16楼: | >>参与讨论 |
作者: 香水城 于 2006/8/30 11:11:00 发布:
谢谢leebai_001的建议,我们会认真考虑 具体到您的应用,我想从机的ID应该是系统在现场配置好后就固定下来了,不会整天变来变去的吧,这样的话HDFlash是可以完成的,请看ST在2003年发表的一个应用笔记: 另外,ST7上百种的型号中有近一半的产品是用XFlash,XFlash可以烧写10万次以上;这上百种的产品中有1/4至1/3的产品内嵌EEPROM,尤其是新产品带内嵌EEPROM的就更多。 |
17楼: | >>参与讨论 |
作者: ijk 于 2006/8/30 11:40:00 发布:
leebai_001的建议,是个趋势 ST以后新出的单片机,包括8位/16位/32位,应该多数支持这样的特性,即支持多次程序/数据的烧写(比如10k次). |
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