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高人帮我看看下面这段程序－－ram中flash的擦除改写

作者：ddtv　栏目：单片机

高人帮我看看下面这段程序－－ram中FLASH.html">FLASH的擦除改写
单片机是QB8,时钟＝8m，编译通过但是就是写不了数据，地址0XDE00--0xdeff保留做数据存储器用。现在经张真人指点可以用on chip上的子程序调用，可以不用这么麻烦。但是没调出来毕竟遗憾，请高人指点～～

uchar FlashBuf[80];
uchar page_data;
uchar TEMP;
uint page_addr;

void delayms(uint t);
void delayus1(void);
void do_write(void);
void page_erase(void);
void do_erase(void);
//页写,最大32B
void page_write(void)
{
    FLCR_PGM = 1;   //编程位
    (void)(FLBPR == 0); //读FLASH保护寄存器
    *(volatile uchar *)page_addr = 0x01; //向目标页写任意数
    delayus1(); //tnvs>10us
    memcpy((void *)FlashBuf,(void *)do_write,(uint)page_erase-(uint)do_write); //FLASH.html">FLASH程序考到RAM中
    asm("ldhx FlashBuf");     //加载擦除程序在RAM区的首地址
    asm("jsr ,X");          //执行RAM区域的擦除程序
}

//要在RAM中执行的页写程序
void do_write(void)
{
    uchar i,j;

    FLCR_HVEN = 1;  //高压位
    delayus1(); //tpgs>5us

    for(i=0;i<20;i++)   //写20B
    {                   //数据送入FLASH.html">FLASH地址
        *((volatile uchar *)page_addr+i)= i;
        for (j=0;j<22;j++); //延时30us--40us,据说不能调用延时程序
    }

    FLCR_PGM = 0; //编程位
    delayus1(); //tnvh>5us
    FLCR_HVEN = 0; //高压位
    delayus1();// trcv>1us
}

void delayus1(void)
{
    TEMP = 60;
    while(--TEMP){}
}

//页擦除程序,最小64B
void page_erase(void)
{
    FLCR_ERASE = 1;     //擦除位
    FLCR_MASS  = 0;     //整体擦除位
    (void)(FLBPR == 0); //读FLASH保护寄存器

    *(volatile uchar *)page_addr = 0; //写任意数
    TEMP = 20;
    while(--TEMP){};    //延时
    memcpy((void *)FlashBuf,(void *)do_erase,(uint)delay100us-(uint)do_erase); //FLASH.html">FLASH程序考到RAM中
    asm("ldhx FlashBuf");     //加载擦除程序在RAM区的首地址
    asm("jsr ,X");          //执行RAM区域的擦除程序
}

void do_erase(void)
{
    FLCR_HVEN = 1;  //高压
    delayms(4);     //terase>4ms
    FLCR_ERASE = 0;
    TEMP = 20;
    while(--TEMP){}; //tnvh>5us

    FLCR_HVEN = 0;
    TEMP = 10;
    while(--TEMP){};     //Trcv>1us
}

void delayms(uint t) {
    uchar i;

    do
    {
        for(i=255; i>0; i--)
        {asm nop; asm nop;}
    }while(--t);
}

void main(void)
{
    page_addr = 0xde00;
    page_data = 0;
    page_erase();

    page_write();
}

* - 本贴最后修改时间：2006-12-7 19:48:02 修改者：ddtv

2楼：	>>参与讨论
作者： forthlab 于 2006/12/7 19:52:00 发布：这个程序好象是有点麻烦的当时搞了我不少时间，基本思路和你一样。我去看看原码还在么。就是我调用ram的程序好象不要汇编的,好象是这样的: void (*FlashBuf)(void)

3楼：	>>参与讨论
作者： ddtv 于 2006/12/8 11:28:00 发布：好象应该是((void *)FlashBuf)()吧?

4楼：	>>参与讨论
作者： imwangyi 于 2006/12/8 15:40:00 发布：装了CW就有参考代码的,仔细找找,肯定能找到的.

5楼：

>>参与讨论

作者： imwangyi 于 2006/12/8 15:44:00 发布：

想了想,还是告诉地址吧.
C:\Program Files\FREESCALE\CodeWarrior for HC08 V5.1\(CodeWarrior_Examples)\HCS08\DEVICE Initialization C Examples\GB60_Modules\Sources\Flash_GB60

另外,C:\Program Files\FREESCALE\CodeWarrior for HC08 V5.1\(CodeWarrior_Examples)\HCS08\DEVICE Initialization C Examples\GB60_Modules\Sources 目录下有很多参考代码,只是很多兄弟没耐心多看资料,所以,隐蔽了些.

6楼：	>>参与讨论
作者： xzliu 于 2006/12/11 19:50:00 发布：这个是HCS08的,也能用吗? 专用的上网机器,程序还没看.问下先

7楼：	>>参与讨论
作者： imwangyi 于 2006/12/11 22:21:00 发布： Sorry,HC的不需要到RAM里运行的,可以直接调用.

8楼：	>>参与讨论
作者： forthlab 于 2006/12/12 9:17:00 发布： HC的不需要到RAM里运行的,可以直接调用？？？搞错了吧！ * - 本贴最后修改时间：2006-12-12 13:25:05 修改者：forthlab

9楼：	>>参与讨论
作者： imwangyi 于 2006/12/12 13:28:00 发布： HC本身就带了ROM的程序的. http://www.freescale.com/files/microcontrollers/doc/app_note/AN2874.pdf

10楼：

>>参与讨论

作者： forthlab 于 2006/12/12 16:30:00 发布：

楼上的好像是2006年的新文档
以前的HC08不是ROM内没有FLASH操作代码的。有不少要自己编写的。
现在咋有了？
有人出来解释一下么？
按照这个文档，用以前的CPU可以运行么？
从那个时间开始的芯片可以用？
这么重要的事情咋没有听说？
我当时编FLASH程序的时候和FREESCALE的技术支持交流过，我也是参考了FREESCALE的在RAM操作FLASH的文档的。

* - 本贴最后修改时间：2006-12-12 16:51:00 修改者：forthlab

11楼：

>>参与讨论

作者： JerryBJ 于 2006/12/12 19:12:00 发布：

It depends
要看具体的型号。HC08中有些型号在MONITOR ROM里边已经包含了几个非常有用的函数，比如说FLASH的擦写。具体看该型号的数据手册。一般在Developement SUPPORT或者MONITOR ROM这一章中说明，看有没有ROM-Resident Routines。
函数PRGRNGE为编程一段FLASH，而函数ERARNGE为擦除一段FLASH。调用这几个函数之前需要正确设置几个"虚拟寄存器"的值，其实是地址固定的RAM单元。在datasheet中都有说。
有些型号甚至提供EE_WRITE和EE_READ这样的函数，可以直接用来模拟EEPROM。最喜欢的是JB16，干脆提供从USB下载程序的bootloader在监控程序中。

12楼：	>>参与讨论
作者： forthlab 于 2006/12/13 9:28:00 发布：至少以前GT16是没有这个功能的当时搞了不少时候也和技术支持交流过，参考过FREESCALE的文档。但现在GT16内部的ROM支持FLASH了。奇怪哦。不过还是好事情啊，支持

13楼：	>>参与讨论
作者： ddtv 于 2006/12/13 17:06:00 发布：这个片子datasheet也没说可用,实际上能调用ROM

14楼：

>>参与讨论

作者：张明峰于 2006/12/13 17:19:00 发布：

只要有ROM就肯定可以调用
我没有去核实是否每一款HC908的芯片都含有片内ROM程序。但依据MON08监控调试的原理，应该是都带有这些事先写好并固化的应用程序的。用户只要找到其调用规约就可以在自己的程序中调用（主要针对FLASH擦写和编程）。

如果芯片数据手册中没有特别指明这些ROM程序的入口规约，可以看一下芯片对应的应用笔记。很多型号都合用同一个ROM程序。

15楼：

>>参与讨论

作者： JerryBJ 于 2006/12/13 22:54:00 发布：

有点糊涂
GT16是有这些函数的。PRGRNGE在$1B59，ERARNGE在$1B56。
QB8也是有的。PRGRNGE在$2809，ERARNGE在$2806。

我碰到过JB8的ERARNGE的问题，它在擦除的时候有些单元擦不干净，会擦成FD,FE,F7等结果而不是FF，因此需要自己编写JB8的擦除程序。

ROM Resident函数在HC08 MCU上的实现有两种，它们需要的参数和调用不同。使用的时候要注意。（LK/LJ,JK/JL,JW,AP这几种MCU的ROM Resident函数和其它的不一样。）

看到过说GR8的Rom Resident函数只能在MONITOR Mode下被调用，不能在User Mode下调用。但是GR8没见过朋友们用，自己也没有试过。

我一直没有找出证据表明GP/MR/SR也具有这样的函数。但是所有的HC08 MCU都提供这些操作：
READ (read MEMORY)
WRITE (write MEMORY)
IREAD (indexed read)
IWRITE (indexed write)
等。这些操作是在监控模式下通过命令代码执行的，也是MON08调试的根本。我猜想在ROM的监控程序通过接受这些命令代码跳转到不同的程序段。想了想能否直接调用，觉得不能。

16楼：	>>参与讨论
作者： forthlab 于 2006/12/14 10:10:00 发布： FREESCALE要出面澄清一下如果datasheet上面没有，而实际ROM内有，以后ROM修改了地址或功能咋办？既然不公开，肯定有原因的，不稳定？只能在。。。条件下才能运行？

17楼：

>>参与讨论

作者：张明峰于 2006/12/14 11:31:00 发布：

可以这样理解：
1）若数据手册中没有说明，则应用笔记中有详细描述。应用笔记也是正式文档。
2）这些ROM程序都是经过几十种芯片上千万上亿片的实际验证，作为一种标准化的模块，实在无必要经常更该；
3）908系列正逐渐淡出。新的芯片都基于S08或RS08核，S08用BDM，不需要片内ROM程序；RS08片内FLASH不支持IAP，故也没有ROM部分。

18楼：	>>参与讨论
作者： forthlab 于 2006/12/18 17:31:00 发布： HC908淘汰了么？ S08的DBM有啥特色？几个断点？仿真器价格如何？

19楼：

>>参与讨论

作者： JerryBJ 于 2006/12/18 19:07:00 发布：

BDM
MON08其实是利用驻留在ROM中的调试程序进行调试和下载。
而BDM依靠的是片内的调试硬件，它独立于CPU运行，可以监控CPU，存储器和总线。可以有3个断点，并且支持很多高级调试功能。我们用的BDM Debugger其实只是软件到芯片调试硬件之间的通讯协议转换。USBMULTILINKBDM是最常见的debugger，1000元左右。很快会有250元的Spider BDM。本地代理商也在准备推出更便宜的工具。也可以自己做。

20楼：	>>参与讨论
作者： forthlab 于 2006/12/18 19:42:00 发布：如果250元，还是买个用吧。能说说HC08和HCS08的差别么？刚才到FREESCALE去看了一会E文，有点头晕，好象没有比较。 1。CPU主要区别？ 2。价格区别？ 3。哪个版本的codewarrioe支持HCS08? 不好意思，要麻烦DX打字了

21楼：

>>参与讨论

作者： JerryBJ 于 2006/12/18 20:07:00 发布：

供你参考
CPU的基本架构和指令集是一样的，只不过HCS08在一些指令（操作HX的指令如LDHX，STHX和CPHX等）上多了几种寻址模式。最重要的差别在于：
a) HCS08的性能有很大提高，总线频率可以到20MHZ（指令周期50ns）；外设功能增强（尤其是FLASH，ADC，TIM，SCI等外设）。
b) 低功耗。现有HCS08典型的电流参数：3V\1MHZ总线频率下低于500uA。4种低功耗模式。STOP1休眠功耗为nA级。
c）性价比增加。由于采用0.25um半导体制造工艺，可以用更少的钱买到更多的功能。
d) 创新的调试途径(BKGD)，就是刚才所说的BDM了。

其实很简单，在现有HCS08里边能找到合适你用的单片机，就不要回去用HC08。如果找不到，可以选一个HC08的。

CW3.1，5.0，5.1都可以支持HCS08(安装相应补丁)。不过建议使用5.1版本。

22楼：

>>参与讨论

作者： ddtv 于 2006/12/18 21:06:00 发布：

新版本的CODEWARRIOR都支持,最新的好象是5.7吧?

冷若寒发表于 2006-12-8 19:43 飞思卡尔单片机 ←返回版面

High-performance and low POWER, the HCS08 does not sacrifice performance to provide low POWER 1.8 V operation. HCS08 Features - Multiple POWER management modes, including a 20 nanoamp (nA) POWER-down mode

A zero-component auto-wakeup from "stop" to help reduce costs and reduce POWER to 0.7 MICROamp (uA) - Up to 40 MHz CPU/20 MHz bus at 2.1 V and 16 MHz CPU/8 MHz bus at 1.8 V
A programmable internal clock generator with temperature and voltage compensation (typical drift < 2%) designed for reliable communications, FAST start up and reduced SYSTEM cost
In-application reprogramming and data storage via third-generation 0.25&MICRO; FLASH TECHNOLOGY
High integration including four serial communication ports, up to 8 timer/PWMs, and an 8-channel 10-bit ANALOG-to-digital converter specified down to 1.8 V.

  HCS08AW Family
Mid-range S08 with 8KB-60KB FLASH, 768B-2KB RAM, up to 2xSCI, 1xSPI, 1xI2C, 40MHZ CPU, on-chip emulation and debug, market focus is LIN/J2602 Slave, High I/O

  HCS08G Family
High performance, general purpose, low voltage devices with A/D suitable for a wide range of industrial and consumer applications.

  HCS08Q Family
Small, general purpose, low-POWER, feature rich. Highly integrated, general purpose devices with ADC, ANALOG comparator, multiple communications options, timers, and on-chip ICE.

  HCS08R Family
Low POWER, high performance devices targeted to BATTERY POWERed applications.

* - 本贴最后修改时间：2006-12-18 21:09:38 修改者：ddtv

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