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在这种情况下上拉和下拉电阻的阻值是多少？ |
| 作者：maxking 栏目：新手园地 |
单片机端口接入场效应管的栅极，那么端口的上拉电阻和下拉电阻是怎样计算？场效应管型号为IRF640N，参数如图：
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| 2楼： | >>参与讨论 |
| 作者： computer00 于 2007/4/3 0:44:00 发布：
看你需要的速度,即开关时间. |
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| 3楼： | >>参与讨论 |
| 作者： maxking 于 2007/4/3 8:22:00 发布：
是不是VGS(th)达到最大值，即4V时，速度最大。 如果我需要最大值，I/O输出电压5V，上拉为10K，下拉2.5K，这样理论上就达到了。是不是这样，大家讨论讨论。 |
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| 4楼： | >>参与讨论 |
| 作者： maychang 于 2007/4/3 8:34:00 发布：
回楼主 “是不是VGS(th)达到最大值，即4V时，速度最大” 速度最大？什么东西的速度？ “如果我需要最大值” 什么量的最大值？ 估计楼主对 VGS(th) 这个量的理解有误。 |
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| 5楼： | >>参与讨论 |
| 作者： maxking 于 2007/4/3 8:47:00 发布：
速度就是场效益管做开关的速度 最大值因为参数里有min和max的参数，达到max的值应该是最大值，这是我的理解。不知对否？ |
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| 6楼： | >>参与讨论 |
| 作者： eastbest 于 2007/4/3 9:18:00 发布：
开关速度受Cgs的影响 我的理解：电源通过电阻对Cgs充电，当电容上的电压超过VGS(th)时，MOS管就导通了；反之，Cgs通过电阻对地放电低于门限电压时，MOS就关断了。 电容的充电、放电是需要时间的，受RC即时间常数的影响。 |
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| 7楼： | >>参与讨论 |
| 作者： maychang 于 2007/4/3 10:04:00 发布：
果然 VGS(th) 是门限电压，指管子开始导通时，GS之间的电压，该电压与开关速度无关。 eastbest 说的是对的，但不完全。除GS之间电容外，还需要考虑米勒效应的电容，而这个电容比GS之间电容大得多。 |
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| 8楼： | >>参与讨论 |
| 作者： xwj 于 2007/4/3 10:08:00 发布：
呵呵，LZ理解有误 |
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| 9楼： | >>参与讨论 |
| 作者： maychang 于 2007/4/3 10:10:00 发布：
补充一句 要高速开关MOSFET管，靠上拉下拉电阻是不行的。高速开关需要对MOSFET的G极施加很强的驱动，通常单片机的口线驱动能力不足以驱动MOSFET，除非频率很低，且对MOSFET输出上升下降沿没有什么要求。 |
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