您现在的位置:首页 > IC > F字母型号搜索 > F字母第532页 >

FDB2710

更新时间:2024-04-20 11:06:12
  • 供应商
  • 型号
  • 服务标识
  • 数量
  • 厂商
  • 产品参数
  • 说明
  • 询价
IC热门型号推荐优势:品质保障[放心]、稳定库存[安心]、优质商家[省心] 点击搜索体验
FDB2710的中文资料和PDF资料下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 大小:1242KB
  • 厂家:
  • 描述:MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK
  • 标准包装:800
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:PowerTrench®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):250V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:50A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:42.5 毫欧 @ 25A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:101nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:7280pF @ 25V
  • 功率 - 最大:260W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装:D²PAK
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:FDB2710TR
FDB2710 相关信息
  • 飞兆半导体FDB2614和FDB2710为等离子体显示板提供高效率
    飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出全新的FDB2614(200V)和FDB2710(250V) N沟道MOSFET,这两款产品经专门设计,可为等离子体显示板(PDP)应用提供良好的系统效率和优化的占位空间。利用飞兆半导体专利的PowerTrench工艺技术,这些MOSFET比较市场上同类型器件提供最低的导通阻抗RDS(on)(FDB2614的典型值为22.9毫欧;FDB2710的典型值为36.3毫欧)。超低的RDS(on)加上极低的栅极电荷(...
FDB2710 相关搜索

IC型号索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

在采购FDB2710进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

免责声明:以上所展示的FDB2710信息由会员自行提供,FDB2710内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。维库网不承担任何责任。

友情提醒:为规避购买FDB2710产品风险,建议您在购买FDB2710相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。推荐使用"DZSC委托交易服务",买卖都安全。

温馨提示 ×

因腾讯功能限制,可能无法打开QQ临时会话( 点此复制QQ,添加好友),建议您使用 阿库在线聊天询价。

上传BOM文件: BOM文件
*公司名:
*联系人:
*手机号码:
QQ:
应用领域:

有效期:
OEM清单文件: OEM清单文件
*公司名:
*联系人:
*手机号码:
QQ:
有效期:

扫码下载APP,
一键连接广大的电子世界。

在线人工客服

买家服务:
卖家服务:

0571-85317607

客服在线时间周一至周五
9:00-17:30

关注官方微信号,
第一时间获取资讯。

建议反馈
返回顶部

建议反馈

联系人:

联系方式:

按住滑块,拖拽到最右边
>>
感谢您向阿库提出的宝贵意见,您的参与是维库提升服务的动力!意见一经采纳,将有感恩红包奉上哦!