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FDFMA2P859T

更新时间:2024-04-20 10:24:30
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  • 大小:289.93KB
  • 厂家:Fairchild
  • 描述:
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:PowerTrench®
  • FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点:二极管(隔离式)
  • 漏极至源极电压(Vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:120 毫欧 @ 3A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1.3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:6nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:435pF @ 10V
  • 功率 - 最大:700mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装:6-MicroFET(2x5)
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:FDFMA2P859TTR
FDFMA2P859T 相关信息
  • 飞兆半导体MicroFET™采用薄型封装 瞄准电池充电和功率多工应用
    ...发了集成式P沟道PowerTrench? MOSFET 与肖特基二极管器件FDFMA2P859,利用单一封装解决方案,满足对电池充电和功率多工(power-multiplexing)应用至关重要的效率和热性能需求. 相比传统MOSFET器件,FDFMA2P859T 具有出色的功率耗散和传导损耗特性,且其封装高度为0.55mm,比行业标准0.8mm MicroFET降低了30%,适用于在最新的便携式手机、媒体播放器和医疗设备中常见的薄型设计. FDFMA2P859T专为...
  • 薄型封装版本MicroFET MOSFET
    ...child Semiconductor)宣布其MicroFET现推出行业领先的薄型封装版本,帮助设计人员提升其设计性能.飞兆半导体与设计工程师和采购经理合作,开发了集成式P沟道PowerTrench MOSFET与肖特基二极管器件FDFMA2P859T,利用单一封装解决方案,满足对电池充电和功率多工(power-multiplexing)应用至关重要的效率和热性能需求. 相比传统MOSFET器件,FDFMA2P859T具有出色的功率耗散和传导损耗特性,且其封装...

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