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FDG6303N

更新时间:2024-03-29 02:19:07
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FDG6303N外观图

  • 产品培训模块:High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:-
  • FET 型:2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):25V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:500mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:450 毫欧 @ 500mA,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:2.3nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:50pF @ 10V
  • 功率 - 最大:300mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装:SC-70-6
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:FDG6303NTR
FDG6303N 相关信息
  • 2012年7月2日维库电子市场网IC报价
    ...FA1112HSTANLEY 10+ 3000 0.20元森达科技实业有限公司IRLML2502IR SOT-23 07+ 48000 0.35元上海集聚电子科技有限公司XC3S400A-4FTG256CXILINX 原封装 11+ 2000 40.00元深圳市宏发祥科技有限公司FDG6303N SOT-363 07+ 3400 0.80元上海集聚电子科技有限公司
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