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FDS6975

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  • 厂家:
  • 描述:MOSFET 2P-CH 30V 6A 8SOIC
  • 产品培训模块:High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装:2,500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:PowerTrench®
  • FET 型:2 个 P 沟道(双)
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:32 毫欧 @ 6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:1540pF @ 15V
  • 功率 - 最大:900mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装:8-SOICN
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:FDS6975TR
FDS6975 相关信息
  • 基于FPC1011C的指纹识别系统
    ...提供1.6 V电压。 自动电源切换电路采用凌特公司的LTC4414,电路如图3所示。LTC4414通过控制2个P沟道MOSFET,实现一种用于电源切换的近似理想二极管的功能,从而实现两个电源的高效“或”操作。FDS6975是一款双P沟道MOSFET芯片。 电平转换使用LMl085-3.3 V和LMl085-ADJ可调输出电压,输出电压VOUT=1.25×(1+R2/R1)。为产生1.6 V电压,使R2=38.3 Ω,R1=110 Ω,电路如图4所示。 ...
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