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FF450R17ME3

更新时间:2024-04-20 11:53:02
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  • 制造商:Infineon
  • 产品:IGBT Silicon Modules
  • 配置:Dual
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:1700 V
  • 在25 C的连续集电极电流:605 A
  • 最大工作温度:+ 125 C
  • 封装 / 箱体:Econo D
  • 栅极/发射极最大电压:+/- 20 V
  • 最小工作温度:- 40 C
  • 安装风格:Screw
  • 工厂包装数量:12
FF450R17ME3 相关信息
  • 2SD315模块在IGBT驱动保护电路中的应用
    ...电路很多,但在集成度,可靠性等方面还不够完善,本文就此在介绍IGBT基本性能的基础上介绍一种基于 CONCEPT公司的2SD315模块的IGBT驱动保护电路。 2、IGBT特性及驱动设计 本文以eupec公司型号为FF450R17ME3的IGBT为例进行说明。通过查找其技术手册可得:在其节温为125℃,器件集电极与发射级间压降为 UCE=900V,门极驱动电压UGE=±15V,IC=450A,限流电阻RG=3.3Ω时Tdon=100ns,Tdoff=100...
  • 分析变流器核心器件MOSFET与IGB性能
    ...有的IGBT饱和压降是正温度系数的。 负温度系数饱和压降的IGBT并联使用难于均流,所以,不宜并联使用。 正温度系数饱和压降的IGBT是可以并联使用的,并且能够达到很好的均流效果 例如,INFINEON的FF450R17ME3,下图是其饱和压降的温度特性,当集电极电流大于100A时,饱和压降有良好的正温度系数。本人使用两个模块并联,输出总电流400A交流有效值,实测并联模块电流的不均匀度小于5%。 三...

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