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FM25H20

更新时间:2024-04-22 22:14:59
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FM25H20 相关资料

  • 其它信息：

    2M位非易失性铁电存储器，结构容量为256K×8位，读/写次数无限制，掉电数据保持10年，写数据无延时，采用先进的高可靠性的铁电制造工艺； 快速串行外设接口SPI，总线速度最大可达40MHz，硬件上可直接取代串行的闪存，SPI模式0和3（CPOL，CPHA＝0，0和1，1）；写保护模式：硬件保护，软件保护；低功耗操作：2.7～3.6V操作电压，待机电流5μA；工业标准配置：工业级温度－40～＋85℃，引脚兼容SOIC-8

  • 引脚图：

    FM25H20引脚图

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  • 厂家：Ramtron International Corporation
  • 描述：2Mb Serial 3V F-RAM Memory
FM25H20 相关信息
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    ...s,容量可达4 Mb.使用并行FRAM,由于存在"预充",读/写操作时要特别注意微处理器与存储器的时序的对应统一。典型的高速度大容量FRAM器件有16位并行FM22L16、8位并行FM20L08、FMM24C512、FM25H20等。 2.6 磁阻式随机存储器MRAM 磁阻性随机存储器MRAM（Magnetic-ResistiveRAM）基于GMR（Giant Magneto Resistive）薄膜技术，与硬盘驱动器原理相同，以磁性的方向为依据存储数据。其基...
  • 无线传感器网络的嵌入式网关硬件设计
    ...作系统的移植存储的代码量，以及传感器节点每天采集的数据量(64个节点一天大约4．3K)，故必须进行存储器的扩展。结合考虑微处理器外设接口和数据存储读写速度，选择2 Mb的非易失性铁电随机存储器FM25H20。其硬件原理图如图7所示。 FM25H20具有无限的读写次数，掉电数据多达10年保持时间，写数据无延时，快速SPI串行协议，高达40 Mbps的总线速度，完善的软、硬件写保护，极低的静态工作电流...
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  • 首款2兆位串行F-RAM存储器
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  • Ramtron推出首款2兆位串行F-RAM存储器FM25H20
    Ramtron推出首款2兆位串行F-RAM存储器，采用8脚TDFN (5.0 x 6.0 mm) 封装。FM25H20 采用先进的130纳米CMOS工艺生产，是高密度的非易失性F-RAM存储器，以低功耗操作，并备有高速串行外设接口(SPI)。该3V、2Mb串行F-RAM器件以最大的总线速度写入，具有几乎无限的耐用性，通过微型封装提供更大的数据采集能力，使系统设计人员能够在计量和打印机等高级应用中减少成本和板卡空间。 FM25H20是...
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