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HUF75631SK8T

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HUF75631SK8T外观图

  • 标准包装:2,500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:UltraFET™
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:5.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:39 毫欧 @ 5.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:79nC @ 20V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:1225pF @ 25V
  • 功率 - 最大:2.5W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装:8-SOP
  • 包装:带卷 (TR)
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