其它信息:
高密度NAND Flash存储器:符合大容量存储应用; NAND接口:×8总线宽度,多路复用地址/数据总线引脚兼容; 电源电压:3.3V设备VCC=2.7~3.6V; 存储器单元阵列:(2K+64)字节×64页×8192块; 页面大小:(2K+64备用的)字节; 时钟大小:(8K+256各用的)字; 页面读/编程:随机存取:30μs(最大值),顺序存取:50ns(最小值),页编程时间200μs(典型值); 复制回编程模式:不受外界缓冲的快速页面复制; 高速缓存编程模式:改善编程吞吐量的内部高速缓存; 快速块擦除:块擦除时间:2ms(典型值); 硬件数据保护:在电源转换过程中编程/擦除被锁定; 数据的完整性:100000次编程/擦除周期,10年的数据保留时间; 封装:48引脚的TSOP封装,;52引脚的TLGA封装
引脚图: