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IPB025N10N3G

更新时间:2024-04-24 05:02:48
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IPB025N10N3G 相关信息
  • 基于MOSFET在电源转换领域中的设计与应用
    ...格也不断降低，使应用越来越广泛，不少地方取代双极型晶体管。 多年来许多制造商持续推出了许多代功率MOSFET产品。30年多来，基准基本上每年都会更新。至写这篇文章时，100V基准公认为是英飞凌的IPB025N10N3G所保持。与IRF100的4Ω–mm2品质因数（FOM）相比（1），IPB025N10N3G的FOM不到0.1Ω–mm2.这个值几乎已经达到硅器件的理论极限（2）。 不过改进仍在持续。例如，CoolMOS器件和IGBT...
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