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IPI139N08N3 G

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    IPI139N08N3 G

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IPI139N08N3 G外观图

  • 数据列表:IPx136,139N08N3 G
  • 标准包装:500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:OptiMOS™
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):80V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:45A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:13.9 毫欧 @ 45A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):3.5V @ 33µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:25nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:1730pF @ 40V
  • 功率 - 最大:79W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
  • 供应商设备封装:PG-TO262-3
  • 包装:管件
  • 其它名称:SP000457714
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